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2010-01-31 23:06 |
半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù),作者:(美國)施羅德,譯者:大連理工半導(dǎo)體研究室
《半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》詳細(xì)介紹了現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中半導(dǎo)體材料和器件的表征技術(shù),基本上覆蓋了所有的電學(xué)與光學(xué)測試方法,以及非常專業(yè)的與半導(dǎo)體材料相關(guān)的物理和化學(xué)測試方法。作者不但論述了測量中的相關(guān)物理問題及半導(dǎo)體材料與器件的參數(shù)的物理起源和物理意義,還將自己和他人的經(jīng)驗?zāi)Y(jié)其中,并給出了具體測量手段,同時指出不同手段的局限性和測量注意事項。 +/rH(Ni 本版經(jīng)修訂及擴展,增加了許多逐漸成熟起來的表征技術(shù),如從探測硅晶圓中金屬雜質(zhì)的掃描探針到用于無接觸式電阻測量的微波反射技術(shù)。本版特色如下: 9MY7a=5E~ 增加了可靠性和探針顯微技術(shù)方面的全新內(nèi)容;增加了大量例題和章后習(xí)題;修訂了500幅圖例;更新了超過1200條參考文獻;采用了更合適的單位制,而不是嚴(yán)格的MKS單位制。 kM/Te{< 《半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》可作為碩士、博士研究生的教材,也可供高校教師、半導(dǎo)體工業(yè)研究人員參考使用。 ;apzAF DIETER K.SCHRODER是亞利桑那州立大學(xué)電子工程系教授,亞利桑那州立大學(xué)工程學(xué)院教學(xué)杰出貢獻獎獲得者,曾著《現(xiàn)代MOS器件》一書。 N@xg:xr 全書共分電學(xué)表征、光學(xué)表征和物理表征三個部分,主要對半導(dǎo)體材料和器件表征技術(shù)作了介紹,具體內(nèi)容包括電阻率、載流子和摻雜濃度、載流子壽命、光學(xué)表征、物理化學(xué)特性的表征等!栋雽(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》在國外被廣泛選用為研究生專業(yè)課教材及工程技術(shù)人員的參考書,并在文獻中被大量引用。 El-
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X^@I]. (;_FIUz0 第1章 電阻率 O(z}H}Fv 1.1 簡介 ?4 S+edX 1.2 兩探針與四探針 -%CoWcGP 練習(xí)1.1 lFSe?X^ 1.2.1 修正因子 dRi5hC$ 練習(xí)1.2 :hRs`=d"r 練習(xí)1.3 e>}}:Ud 練習(xí)1.4 &?,6~qm[ 1.2.2 任意形狀樣品的電阻率 FLZWZ; 1.2.3 測量電路 ;CHi\+` 5 1.2.4 測量偏差和注意事項 Wg`AZ=t 1.3 晶片映像 7.Kc:7 1.3.1 二次注入 (X[CsaXt 1.3.2 調(diào)制光反射 5O/i3m26
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