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2010-01-31 21:37 |
半導(dǎo)體器件物理與工藝,作者:(美國(guó))施敏,譯者:趙鶴鳴
《半導(dǎo)體器件物理與工藝》(第2版)分為三個(gè)部分：第1部分（第2、3章）描述半導(dǎo)體的基本特性和它的傳導(dǎo)過程，尤其著重在硅和砷化鎵兩種最重要的豐導(dǎo)體材料上。第l部分的概念將在《半導(dǎo)體器件物理與工藝》(第2版)接下來的部分被用到，了解這些概念需要現(xiàn)代物理和微積分的基本知識(shí)。第2部分（第4-9章）討論所有土要半導(dǎo)體器件的物理過程和特性。由對(duì)大部分半導(dǎo)體器件而言最關(guān)鍵的p-n結(jié)開始，接下來討論雙極型和場(chǎng)效應(yīng)器件。最后討論微波、量子效應(yīng)、熱電子和光電子器件。第3部分（第10-14章）則介紹從晶體生長(zhǎng)到摻雜等工藝技術(shù)。我們介紹了制作器件時(shí)的各個(gè)主要步驟，包含理論和實(shí)際情況，并特別強(qiáng)調(diào)其在集成電路土的壓用。 La]4/=a
《半導(dǎo)體器件物理與工藝》(第2版)介紹了現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的物理原理和先進(jìn)的工藝技術(shù)．它可以作為應(yīng)用物理、電機(jī)工程、電子工程和材料科學(xué)領(lǐng)域的本科學(xué)生的教材，也可以作為工程師和科學(xué)家們需要了解最新器件和技術(shù)發(fā)展的參考資料、首先，第1章對(duì)土要半導(dǎo)體器件和關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展作一個(gè)簡(jiǎn)短的歷史回顧。 j<@fT
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第1章 簡(jiǎn)介 9j2\y=<&
1.1 半導(dǎo)體器件 t%:G|n Sz
1.2 半導(dǎo)體工藝技術(shù) `; e^2
總結(jié) 5c)<'EP
參考史獻(xiàn) M orW\7-}
第1部分 半導(dǎo)體物理 [*t U}9
第2章 熱平衡時(shí)的能帶和載流于濃度 mgxz1d
2.1 半導(dǎo)體捌料 \wFhTJY
2.2 基本晶體結(jié)構(gòu) @| P3
2.3 基本晶體生長(zhǎng)技術(shù) _Po#ZGm~
2.4 共價(jià)健 L/5z !
2.5 能帶 &62` Wr
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