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2010-01-05 15:14 |
半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)--作者:(美國(guó))安德森(Betty Lise Anderson),安德森(Richard L.Anderson)譯者:鄧寧
半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)不僅包括了量子力學(xué)、半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件（包括二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極晶體管和光電器件）的基本工作原理等內(nèi)容，還寫(xiě)進(jìn)了現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的最新進(jìn)展以及器件的實(shí)際應(yīng)用。例如：對(duì)于顯著影響現(xiàn)代小尺寸器件電學(xué)特性的二級(jí)效應(yīng)進(jìn)行了分析和公式推導(dǎo)，給出了描述小尺寸器件特性的最新的數(shù)學(xué)表達(dá)式；考慮到異質(zhì)結(jié)在場(chǎng)效應(yīng)器件、雙極器件和光電器件中的應(yīng)用日益增加，書(shū)中對(duì)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)作了著重介紹；由于半導(dǎo)體制造設(shè)備和工藝技術(shù)的提高，“能帶工程”得以實(shí)現(xiàn)，隨之帶來(lái)了器件性能的提高，所以本書(shū)在重點(diǎn)介紹硅材料和硅器件的基礎(chǔ)上，還介紹了化合物半導(dǎo)體器件、合金器件（如SiGe，AlGaAs）和異質(zhì)結(jié)器件；本書(shū)還利用電路分析程序SPICE對(duì)器件的I -V特性進(jìn)行了模擬，對(duì)簡(jiǎn)單電路進(jìn)行了穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)分析。 2j+w5KvU
本書(shū)不僅是一本很好的教科書(shū)，也很適合作為微電子和相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員的參考書(shū)。作者Betty Lise Anderson博士是美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)工學(xué)院的電機(jī)工程教授，講授多門(mén)本科生和研究生的課程。曾經(jīng)在工業(yè)界工作過(guò)九年，有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)，目前正在從事用于通訊、雷達(dá)和信息處理的光子學(xué)器件研究。因此,與實(shí)際器件應(yīng)用緊密結(jié)合也是本書(shū)的一個(gè)特色。 {<yapBMw
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半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)目錄 h]<S0 /
第1部分 半導(dǎo)體材料 G[KjK$.Ts?
第1章 半導(dǎo)體中電子的能量和狀態(tài) [Vs\r&qL
第2章 均勻半導(dǎo)體 jz8u'y [n7
第3章 均勻半導(dǎo)體中的電流 {VAih-y
第4章 非均勻半導(dǎo)體 ?W'z5'|
第1部分 補(bǔ)充內(nèi)容 vX:}tir[
材料 Dck/Ea
量子力學(xué)介紹 MtJ-pa ~ n
補(bǔ)充內(nèi)容 P}4&J ^
關(guān)于材料的補(bǔ)充問(wèn)題 2W+~{3[#
第2部分 二極管 uZ?P{E,K
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第3部分 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 g@#he95 }
第4部分 雙極性晶體管 dWd%>9 }
第5部分 光電器件
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