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光行天下 -> 光學(xué)薄膜設(shè)計(jì),工藝與設(shè)備 -> 基底對(duì)光學(xué)薄膜弱吸收測(cè)量的影響 [點(diǎn)此返回論壇查看本帖完整版本] [打印本頁(yè)]

qasy 2007-08-09 19:55

基底對(duì)光學(xué)薄膜弱吸收測(cè)量的影響

基底對(duì)光學(xué)薄膜弱吸收測(cè)量的影響
lilylyl 2007-08-09 21:16
haODONGXI!!
lilylyl 2007-08-09 21:19
主要鍍膜材料及其性能和用途 MCP "GZK6W  
名稱    折射率    透光范圍    蒸發(fā)溫度(℃)     蒸發(fā)源        應(yīng)用 R i 'L  
三氧化二鋁  1.62/550nm  200~5000  2000-2200     電子槍   增透膜、多層膜 V&|!RxWK  
氟化鈰    1.63/500nm  300~5000  1429     鉬,鉭,電子槍  增透膜、多層膜 atW'  
氧化鈰   2.35/500nm  400~16000  1950        電子槍     增透膜 _6Eu2|vM&  
冰晶石   1.33/500nm  250~14000  1000   鉬,鉭,電子槍       增透膜 033T>qY  
氧化鉿   1.95/500nm  230~7000  2500    電子槍     紫外-近紅外多層膜 Jy aag-  
透明導(dǎo)電膜料  2.0/500nm  400~800  1450   電子槍,Al2O3   透明導(dǎo)電膜 :