OptiBPM：創(chuàng)建一個簡單的多模干涉（MMI）耦合器
主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模干涉耦合器，主要步驟如下： ashar&'
• 定義MMI耦合器的材料； V%NeZ1{ e
• 定義布局設定； 6B6vP%H#
• 創(chuàng)建一個MMI耦合器； g"K>5Cb
• 插入輸入面； =&vFVIhWcf
• 運行模擬； 5 1dSFr<#
• 在OptiBPM_Analyzer中預覽模擬結果。 Ri)uq\E/#
O0hu qF$K
1. 定義MMI耦合器的材料 (Rd$VYuf
為了定義MMI耦合器的材料，需要進行如下操作： obo&1Uv,/
1) 通過File-New打開“初始性能對話框（Initial Properties）“ L/Vx~r`P
P^)q=A8Z#
[attachment=127413] 圖1.初始性能對話框 (=
;N{u
2) 點擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設計窗口（Profile Designer）” A.En+-[\
lzhqcL"
[attachment=127414] 圖2.輪廓設計窗口 )T| L,Lp
3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 rv7{Ow_Y
p|[B
=.c{
[attachment=127415] 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 d
6t:hn
4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料： %,UPJn
− Name : Guide X.FG BR7=q
− Refractive Index (Re) : 3.3 A''pS
− 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關閉窗口 X+82[Y,mB.
$`J_:H%
[attachment=127416] 圖4.創(chuàng)建Guide材料 ig!7BxM)<h
5) 重復步驟3）和4），創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料： L'Q<>{;Ig
− Name : Cladding GTl
xq%?b
− Refractive Index (Re) : 3.27 1/Zh^foG
− 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關閉窗口 '0Q ,
bC6oqF'#
[attachment=127417] 圖5.左圖為創(chuàng)建Cladding材料，右圖為材料創(chuàng)建成功后電解質(zhì)材料標簽下的顯示 pA }S5x
6) 雙擊Profiles標簽下的Channel-Channel1，進入通道編輯窗口，構建通道： q(IQa@$SR
− Name ： Guide_Channel *>[3I}mM
− 2D profile definition: Guide 'T8 W!&$
− 點擊“Store”保存創(chuàng)建的通道并關閉通道編輯窗口，關閉Profile Designer窗口 s:>\/[*>0c
v]VWDT
`
.u z|/Zy
>I"V],d!6
圖6.構建通道 2. 定義布局設定 u bW]- U=T
為了定義布局設定，需要在“初始性能對話框（Initial Properties）”窗口進行以下操作： d+fSo SjX8
1) 點擊“默認波導（Default Waveguide）”標簽 # S u~ `]
− Width：2.8 gVR@&bi7
注意：所有的波導將會使用此設定以作為默認厚度 9Ul(GI(
− Profile：Channel-Guide [1yq{n=
[attachment=127418] 圖7.默認波導標簽下“Width”以及“Profile”設置 WT\<.P y
$ &UZy|9
2) 切換到“晶圓尺寸（Wafer Dimension）”標簽： pY"O9x
− Length：5300 , X{>
− Width：60 L=;
-x9
[attachment=127419] 圖8.設置晶圓尺寸 |CFRJN-J"
9i q""
3) 切換到“2D晶圓屬性（2D Wafer Properties）”標簽： mN_Z7n;^eh
− Material：Cladding `Ityi}
− 點擊OK以激活布局窗口 }hpm O-
[attachment=127420] 圖9.晶圓材料設置 cmwPuK$
d^E [|w ;
4) 布局窗口 5\fCd|
[attachment=127421] 圖10.默認情況下布局窗口顯示 G4 _,
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