中科院金屬所雙重功能光電子器件研究取得進(jìn)展
光電探測(cè)器和神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器作為兩種典型的光電子器件，在光信息的感知和處理方面具有重要作用。光電探測(cè)器具有快速的光響應(yīng)和高靈敏度，適用于光學(xué)傳感、通信和成像系統(tǒng)等領(lǐng)域。而神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器受人眼視覺(jué)系統(tǒng)的啟發(fā)，能夠感知、存儲(chǔ)和處理光信號(hào)。兩種光電子器件各具特點(diǎn)且功能互補(bǔ)。因此，若能在單個(gè)器件上實(shí)現(xiàn)光電探測(cè)器和神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器的集成，并可按應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行切換，將提高光電子器件的集成度并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。然而，由于兩者光響應(yīng)速度存在的矛盾，使得在單個(gè)器件上同時(shí)實(shí)現(xiàn)這兩種器件的功能集成變得尤為困難。 v Xcy#
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為解決上述問(wèn)題，中科院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家研究中心聯(lián)合研究部副研究員張興來(lái)等，構(gòu)筑了一種溝槽橋接GaN/Ga2O3/GaN雙異質(zhì)結(jié)陣列器件。通過(guò)調(diào)節(jié)Ga2O3中氧空位的電離和去電離過(guò)程，器件在低電壓和高電壓下分別表現(xiàn)出易失性和非易失性光電流。也就是說(shuō)，僅通過(guò)改變工作電壓的大小，即可在單個(gè)器件上實(shí)現(xiàn)光電探測(cè)和神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器兩種角色的轉(zhuǎn)換。該器件在低電壓作為光電探測(cè)器工作時(shí)，展現(xiàn)出很快的光響應(yīng)速度（118 μs）和很高的比探測(cè)率（1.13 × 1011 Jones），并實(shí)現(xiàn)了光控邏輯電路、光電成像和光通信等復(fù)雜功能。而器件在高電壓作為神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器工作時(shí)，實(shí)現(xiàn)了包括雙脈沖易化、短程可塑性到長(zhǎng)程可塑性的轉(zhuǎn)變、經(jīng)驗(yàn)學(xué)習(xí)行為以及圖像記憶等神經(jīng)突觸特性的模擬。此外，經(jīng)過(guò)器件對(duì)圖像的神經(jīng)形態(tài)預(yù)處理后，圖像的識(shí)別效率提高了62.4%。這一研究不僅為在單個(gè)器件上同時(shí)實(shí)現(xiàn)光電探測(cè)器和神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器的各種先進(jìn)功能提供了新方法，而且為實(shí)現(xiàn)機(jī)器人視覺(jué)系統(tǒng)和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算提供了可能。 SG'JE}jzO
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圖1. 器件的設(shè)計(jì)概念、結(jié)構(gòu)和特性。（a）根據(jù)光響應(yīng)速度特性對(duì)光電器件的功能分類(lèi)示意圖。（b）GaN/Ga2O3/GaN陣列器件示意圖。（c）器件和（d）溝槽橋接Ga2O3納米線的SEM圖像。不同偏置電壓下器件的（e）瞬態(tài)光響應(yīng)以及（f）光電流衰減擬合曲線。異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)示意圖：（g）無(wú)光照和偏壓，（h）紫外光照和高偏置電壓，（i）紫外光照和低偏置電壓。（j）異質(zhì)結(jié)中O 1s的XPS能譜。 |f' 8p8J
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圖2. 器件作為光電探測(cè)器的功能化應(yīng)用。（a）器件的成像原理圖以及所獲得的成像字母；（b）光通信系統(tǒng)的原理圖；（c）基于該器件實(shí)現(xiàn)的摩爾斯電碼傳輸。 32>x^>G=>
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圖3. 器件作為神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器的圖像預(yù)處理和識(shí)別功能。（a）用于圖像預(yù)處理和識(shí)別的人工神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)系統(tǒng)的示意圖；（b）器件降噪前后的數(shù)字圖像；（c）器件降噪前后的圖像識(shí)別率曲線；（d）圖像訓(xùn)練結(jié)果的混淆矩陣；（e）在不同背景噪聲水平（0.1-0.9）下進(jìn)行圖像預(yù)處理前后的數(shù)字圖像；（f）背景噪聲水平對(duì)圖像識(shí)別率提升效果的影響。 v59nw]'
近日，相關(guān)研究成果以Dual-mode conversion of photodetector and neuromorphic vision sensor via bias voltage regulation on a single device為題，發(fā)表在《先進(jìn)材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.202308090）上。
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