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2023-10-17 19:45 |
蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進(jìn)展
近年來，大數(shù)據(jù)、互聯(lián)網(wǎng)和人工智能的快速發(fā)展，對數(shù)據(jù)處理的速度和效率提出了更高的要求。人類大腦是最復(fù)雜的計(jì)算系統(tǒng)之一，可以通過密集協(xié)調(diào)的突觸和神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)同時存儲、整合和處理大量的數(shù)據(jù)信息，兼具高速和低功耗的優(yōu)勢。受人腦的啟發(fā)，人工突觸器件應(yīng)運(yùn)而生。人工突觸器件因具有同時處理和記憶數(shù)據(jù)的能力而備受關(guān)注，有望成為下一代神經(jīng)形態(tài)計(jì)算系統(tǒng)中的核心元器件。 lt
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GaN基納米柱具有表面體積比大、穩(wěn)定性高和能帶連續(xù)可調(diào)等優(yōu)勢，但能否作為理想材料制備人工突觸器件以用于低功耗地模擬生物突觸特性，這是值得研究的問題。近日，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所陸書龍團(tuán)隊(duì)在前期納米柱相關(guān)工作的基礎(chǔ)上，研發(fā)了基于GaN基納米柱/石墨烯異質(zhì)結(jié)的人工突觸器件。實(shí)驗(yàn)證明，在光刺激下該器件能夠有效模擬神經(jīng)突觸特性，包括記憶特性、動態(tài)的“學(xué)習(xí)-遺忘”特性和光強(qiáng)依賴特性，可實(shí)現(xiàn)從短期記憶（STM）到長期記憶特性（LTM）的轉(zhuǎn)變（圖1）。相關(guān)成果以Realize low-power artificial photonic synapse based on (Al,Ga)N nanowire/graphene heterojunction for neuromorphic computing為題，發(fā)表在《應(yīng)用物理快報-光子學(xué)》（APL Photonics）上。 |% J
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