中國(guó)科大在鈣鈦礦薄膜制備及光電器件研究中取得重要進(jìn)展
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院肖正國(guó)教授課題組與化學(xué)與材料學(xué)院陳濤教授課題組合作,在鈣鈦礦薄膜制備及光電器件研究中取得重要進(jìn)展。該研究團(tuán)隊(duì)利用表面能很低的聚二甲基硅氧烷(PDMS)襯底,實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦薄膜的巨量轉(zhuǎn)移。相關(guān)成果日前以“Mass Transfer Printing of Metal-Halide Perovskite Films and Nanostructures”為題發(fā)表在《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)雜志上。 nxQ?bk}*d m"c :"I6 金屬鹵化物鈣鈦礦是新一代的明星半導(dǎo)體材料,它具有吸收系數(shù)高、光學(xué)帶隙易于調(diào)節(jié)、電子空穴遷移率高、載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)、缺陷容忍度高等優(yōu)異的光電特性。這使得鈣鈦礦材料在太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、X射線(xiàn)探測(cè)器等領(lǐng)域都具有非常廣闊的應(yīng)用前景。但是在之前的研究中,鈣鈦礦薄膜只能夠沉積在剛性平面襯底上,這遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用中的很多需求,例如在柔性可彎曲襯底上沉積薄膜以制備柔性器件,以及通過(guò)不同組分鈣鈦礦薄膜的圖案化實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射和全彩顯示等。 H(0q6~| sM1RU 基于此,肖正國(guó)教授課題組使用表面能很低的PDMS襯底進(jìn)行鈣鈦礦薄膜和微納結(jié)構(gòu)的巨量轉(zhuǎn)移。在不改變鈣鈦礦薄膜的表面形貌、成分和光電性能的前提下,成功將鈣鈦礦薄膜轉(zhuǎn)移到柔性襯底上。在器件制備過(guò)程中,使用一層超薄的支化聚乙烯亞胺(B-PEI)作為鈣鈦礦與傳輸層之間的化學(xué)結(jié)合層,能大大增強(qiáng)轉(zhuǎn)移器件界面處的電接觸。膜轉(zhuǎn)移方法制備的鈣鈦礦發(fā)光二極管(PeLEDs)具有與優(yōu)化的旋涂器件相同的外量子效率。另外,使用該方法還能夠制備分辨率高達(dá)1270 ppi的大面積鈣鈦礦微納結(jié)構(gòu)。在此基礎(chǔ)上,通過(guò)將紅光鈣鈦礦條紋與天藍(lán)光鈣鈦礦條紋交替排列,成功制備出了白光PeLEDs。 !S%6Uzsj -G
&_^"=R 以上工作提供了一種在多種襯底上制備鈣鈦礦薄膜或微納結(jié)構(gòu)的可行方法,用于實(shí)現(xiàn)全彩色顯示、白光PeLED和激光器等實(shí)際應(yīng)用。 W&:[r/8wA #$vRJ#S}U
[attachment=114129] ;evCW$G= 圖示:紅光鈣鈦礦條紋與天藍(lán)光鈣鈦礦條紋交替排列的示意圖(a)及PL Mapping照片(b)。白光PeLEDs的器件結(jié)構(gòu) (c) 及工作時(shí)的照片 (d)。 URcR 我校物理學(xué)院肖正國(guó)教授與化學(xué)與材料學(xué)院陳濤教授為該論文的共同通訊作者。物理系碩士研究生李智兼為該論文的第一作者。本項(xiàng)研究得到國(guó)家自然科學(xué)基金委、中科大人才團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目、以及中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專(zhuān)項(xiàng)資金的資助。 2WM\elnA }W)=@t 論文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202203529
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