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2021-11-09 11:00 |
半導(dǎo)體納米線可使太陽(yáng)能電池的效率提高一倍
挪威科技大學(xué)(NTNU)研究小組開(kāi)發(fā)了一種使用半導(dǎo)體納米線材料制造超高效率太陽(yáng)能電池的方法。如將其用于傳統(tǒng)的硅基太陽(yáng)能電池,這一方法有望以低成本將當(dāng)今硅太陽(yáng)能電池的效率提高一倍。該研究論文發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)期刊《ACS光子學(xué)》上。 e)kVS}e? c n^z=?
[attachment=109576] /F_(&H!m 新技術(shù)主要開(kāi)發(fā)者、NTNU博士研究生安詹·穆克吉表示,他們的新方法以非常有效的方式,利用砷化鎵材料以及納米結(jié)構(gòu)完成,因此可以僅使用常用材料的很小一部分,就提高太陽(yáng)能電池的效率。 jB0ED0)wX /u pDbP.O 砷化鎵因其非凡的光吸收和電氣特性而成為制造高效太陽(yáng)能電池的最佳材料,通常用于制造太空太陽(yáng)能電池板。然而,高質(zhì)量砷化鎵太陽(yáng)能電池組件的制造成本相當(dāng)高。近年來(lái)人們意識(shí)到,與標(biāo)準(zhǔn)平面太陽(yáng)能電池相比,納米線結(jié)構(gòu)可潛在地提高太陽(yáng)能電池的效率,所用的材料也更少。 o(3`-ucD` !--A" NTNU研究人員黑格·威曼稱,團(tuán)隊(duì)找到了一種新方法,通過(guò)在納米線結(jié)構(gòu)中使用砷化鎵,制造出效率比其他任何太陽(yáng)能電池高10倍以上的超高功率太陽(yáng)能電池。 `t Zw(Z=h ds<q"S{p 砷化鎵太陽(yáng)能電池通常生長(zhǎng)在厚且昂貴的砷化鎵基板上,幾乎沒(méi)有降低成本的空間。新方法則在廉價(jià)的硅平臺(tái)上使用垂直站立的半導(dǎo)體納米線陣列結(jié)構(gòu)來(lái)生長(zhǎng)納米線。威曼教授解釋說(shuō),最具成本效益和效率的解決方案是生長(zhǎng)雙串聯(lián)電池,頂部的砷化鎵納米線電池生長(zhǎng)在底部的硅電池上,從而避免使用昂貴的砷化鎵襯底。 hC2_Yr>N% `dm}|$X| 研究人員使用分子束外延的方法來(lái)生長(zhǎng)納米線,通過(guò)適當(dāng)?shù)耐顿Y和工業(yè)規(guī)模的研發(fā)項(xiàng)目,這項(xiàng)技術(shù)的開(kāi)發(fā)可具有直接成本效益。研究人員表示,將該產(chǎn)品集成在硅電池之上,可將太陽(yáng)能電池效率提高到40%,與當(dāng)今商用硅太陽(yáng)能電池相比,這意味著效率翻了一番。利用新方法進(jìn)行調(diào)整,使納米線在不同的基板上生長(zhǎng),還可能為許多其他應(yīng)用打開(kāi)大門。 ky{-NrK #RVN7-x 研究人員表示,他們正探索在石墨烯等原子級(jí)薄的二維基板上生長(zhǎng)這種類型的輕量級(jí)納米線結(jié)構(gòu)。在自供電無(wú)人機(jī)、微型衛(wèi)星和廣大其他空間應(yīng)用上,其都將擁有巨大潛力。 xYD.j~ 4qmaL+Q 相關(guān)鏈接:https://electronicsclap.com/technology/semiconductor-nanowires-could-double-the-efficiency-of-si-solar-cells/
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