OptiBPM:創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉(MMI)耦合器
主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉耦合器,主要步驟如下: l:~/%= • 定義MMI耦合器的材料; $;rvKco)% • 定義布局設(shè)定; XXA.wPD- • 創(chuàng)建一個(gè)MMI耦合器; [r1dgwh8 • 插入輸入面; aVZ/e^kk- • 運(yùn)行模擬; tL M@o|: • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 e>x+Xj1 7Vuf4Z5 1. 定義MMI耦合器的材料 @F/,~|{iM 為了定義MMI耦合器的材料,需要進(jìn)行如下操作: m'-QVZ{(M% 1) 通過File-New打開“初始性能對(duì)話框(Initial Properties)“ /!%?I#K{Wq &Im-@rV!
圖1.初始性能對(duì)話框 \Vpv78QF; 2) 點(diǎn)擊圖1中的“輪廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“輪廓設(shè)計(jì)窗口(Profile Designer)” rX0 ?m:&m 0mNL!"
圖2.輪廓設(shè)計(jì)窗口 o]WcODJdl 3) 右鍵單擊圖2中材料(Materials)標(biāo)簽下的“電介質(zhì)(Dielectric)“,選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 3WpQzuHPT "wCx]{Di |;\pAZ2
圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 vdigw.=z 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料: WD1>{TSn − Name : Guide WcY
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