| ka2012 |
2020-12-23 20:57 |
光學(xué)薄膜的制造技術(shù)
光學(xué)薄膜可以采用物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和化學(xué)液相沉積(CLD)三種技術(shù)來制備。 ZX o;E
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1.物理氣相沉積(PVD) ckV\f({
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PVD需要使用真空鍍膜機(jī)，制造成本高，但膜層厚度可以精確控制，膜層強(qiáng)度好，目前已被廣泛采用.在PVD法中，根據(jù)膜料氣化方式的不同，又分為熱蒸發(fā)、濺射、離子鍍及離子輔助鍍技術(shù).其中，光學(xué)薄膜主要采用熱蒸發(fā)及離子輔助鍍技術(shù)制造，濺射及離子鍍技術(shù)用于光學(xué)薄膜制造的工藝是近幾年才開始的。 /zXOta G
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1.1 熱蒸發(fā) P RUl-v
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光學(xué)薄膜器件主要采用真空環(huán)境下的熱蒸發(fā)方法制造，此方法簡單、經(jīng)濟(jì)、操作方便.盡管光學(xué)薄膜制備技術(shù)得到長足發(fā)展，但是真空熱蒸發(fā)依然是最主要的沉積手段，當(dāng)然熱蒸發(fā)技術(shù)本身也隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展與時(shí)俱進(jìn).?在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到固體(稱為襯底或基片)表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。 `YwJ.E
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熱蒸發(fā)的三種基本過程：由凝聚相轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀嗟南嘧冞^程；氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基片之間的運(yùn)輸，即這些粒子在環(huán)境氣氛中的飛行過程；蒸發(fā)原子或分子在基片表面的沉積過程。 N<b2xT
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1.2 濺射 nql9SQ'\\
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濺射指用高速正離子轟擊膜料表面，通過動(dòng)量傳遞，使其分子或原子獲得足夠的動(dòng)能而從靶表面逸出(濺射),在被鍍件表面凝聚成膜。 |q j"p
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與蒸發(fā)鍍膜相比，其優(yōu)點(diǎn)是：膜層在基片上的附著力強(qiáng)，膜層純度高，可同時(shí)濺射不同成分的合金膜或化合物；缺點(diǎn)是：需制備專用膜料靶，靶利用率低。 *aS+XnT/
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濺射的方式有三種：二級(jí)濺射、三級(jí)/四級(jí)濺射、射頻濺射。 Sx
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1.3 離子鍍 9.xRDk
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離子鍍兼有熱蒸發(fā)的高成膜速率和濺射高能離子轟擊獲得致密膜層的雙優(yōu)效果，離子鍍膜層附著力強(qiáng)、致密.離子鍍常見類型：蒸發(fā)源和離化方式。 cNwH Y
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特點(diǎn)： m44a HBwId
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a.膜附著力強(qiáng).這是由注入和濺射所致。 _[E+D0A
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b.繞鍍性好.原理上，電力線所到之處皆可鍍上膜層，有利于面形復(fù)雜零件膜層的鍍制。 -n[(0n3c
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c.膜層致密.濺射破壞了膜層柱狀結(jié)構(gòu)的形成。 $+n6V2^K)7
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