| 米格實(shí)驗(yàn)室 |
2020-02-24 10:18 |
芯片仿真設(shè)計(jì)（第三講：打好芯片制備第一槍--HEMT芯片的仿真設(shè)計(jì)）
千聊課程鏈接：https://m.qlchat.com/wechat/page/topic-intro?topicId=2000008083500433 iQ#dWxw4
主講人：賈興宇現(xiàn)任天津賽米卡爾科技有限公司電力電子器件事業(yè)部主任，碩士就讀于河北工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)，長期從事于半導(dǎo)體器件機(jī)理分析、電子器件工藝、電子器件芯片設(shè)計(jì)與仿真工作。熟悉精通TMBS、MOSFET、E-HEMT以及IGBT等多種電子器件的仿真設(shè)計(jì)及物性分析。 l1uv]t <
>Nr~7s
課程介紹：現(xiàn)如今，各種電力電子器件已經(jīng)深入我們?nèi)粘Ｉ睿袚?dān)著電能控制與變換的功能。HEMT作為電力電子器件中重要的組成部分，憑借其出色的電氣特性得到廣泛研究與應(yīng)用，然而受到當(dāng)前工藝水平的限制，HEMT器件仍然面臨諸多問題，無法完全發(fā)揮其理論性能。本課程旨在基于Crosslight設(shè)計(jì)平臺，進(jìn)行HEMT芯片架構(gòu)的設(shè)計(jì)，助力企業(yè)制備高性能HEMT器件。為此，本課程將具體展示APSYS軟件關(guān)于HEMT器件結(jié)構(gòu)仿真分析的基本操作流程。根據(jù)軟件仿真計(jì)算，我們可以對HEMT器件內(nèi)部微觀現(xiàn)象進(jìn)行展示與機(jī)制分析，通過對二維電場分布，電勢分布，載流子濃度以及能帶等重要參數(shù)的分析，揭示影響HEMT器件性能的因素及各參數(shù)對器件性能的影響規(guī)律，從而指導(dǎo)工藝生產(chǎn)，助力企業(yè)制備高性能電子器件。疫情期間，課程免費(fèi)上！ "Iu Pg=|#
|
|