51) Densify密化

CVD沈積后由于所沈積的薄膜(Thin Film)的密度很低，故以高溫步驟使薄膜中的分子重新結(jié)合以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成，但也可在RTP(Rapid Thermal Process) (快速升降溫機臺)完成。

52) 空乏型Depletion MOS：

操作性質(zhì)與增強型MOS相反，它的通道不須要任何閘極的加壓（Vg）便已存在，而必須在適當(dāng)?shù)腣g下才消失。

53) Deposition Rate 沉積速率

表示薄膜成長快慢的參數(shù)。一般單位Å/min

54)   Depth of Well 井深

  顧名思義即阱的深度。通過離子植入法植入雜質(zhì)如磷離子或硼離子，然后通過Drive in將離子往下推所達到的深度。

55)   Design Rule設(shè)計規(guī)范

由于半導(dǎo)體制程技術(shù)，系一門專業(yè)、精致又復(fù)雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法( RECIPE )的影響，故在考慮各項產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善、成功地制造出來時，須有一套規(guī)范來做有關(guān)技術(shù)上的規(guī)定，此即"Design Rule"，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設(shè)備及制程方法、制程能力，各項相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等考慮，訂正了如：

Ø 各制程層次、線路之間距離、線寬等的規(guī)格。

Ø 各制程層次厚度、深度等的規(guī)格。

Ø 各項電性參數(shù)等的規(guī)格。  

等規(guī)格，以供產(chǎn)品設(shè)計者及制程技術(shù)工程師等人遵循、參考

56) DHF

Dilute HF，一般用來去除native oxide，稀釋的HF( Dilute HF) HF：H2O=1:50

57)   Die 晶粒

一片芯片(OR晶圓，即Wafer)上有許多相同的方形小單位，這些小單位即稱為晶粒。

    同一芯片上的每個晶粒都是相同的構(gòu)造，具有相同的功能，每個晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ�活中常見的IC，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點，往住就會波及成百成千個產(chǎn)品。

58) Dielectric 介電材料

介于導(dǎo)電材料之間的絕緣材料。我們常用的介電材料有SiO2,Si3N4，我們需要的介電材料要求：1.良好的stepcoverage ，2.低介電常數(shù)， 3.高崩潰電壓，4.低應(yīng)力，5.平坦性好。

介電材料的性質(zhì)

Ø 良好的Step coverage、低介電常數(shù)、平坦性。

Ø 理想保護層的性質(zhì)

Ø 沉積均勻、抗裂能力、低針孔密度、能抵抗水氣及堿金屬離子的穿透，硬度佳。

Ø 主要介電材質(zhì):SiO2  PSG 與 BPSG  Si3N4  

59) Dielectric Constant 介電常數(shù).

介電常數(shù)是表征電容性能的一重要參數(shù)，越小越好,它與導(dǎo)電性能成反比。

   ￡=Cd/S ,C=￡S/d

60)   Diffusion 擴散

在一杯很純的水上點一滴紅墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是愈來愈淡，這即是擴散的一例。在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子植入的方式做擴散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進爐管加高溫的方式，使擴散在數(shù)小時內(nèi)完成

61)   Diffusion Coefficient 擴散系數(shù)

擴散系數(shù)是描述雜質(zhì)在晶體中擴散快慢的一個參數(shù)。這與擴散條件下的溫度，壓強，濃度成正比。

       D=D0exp(-Ea/KT)

       D0是外插至無限大溫度所得的擴散系數(shù)(cm2/s)

       Ea是活化能(ev)

       在低濃度時,擴散系數(shù)對溫度倒數(shù)為線性關(guān)系,而與濃度無關(guān)

62)   Diffusion Furnace 擴散爐

在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子植入的方式做擴散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進爐管加高溫的方式，使擴散在數(shù)小時內(nèi)完成。這樣的爐管就叫做擴散爐。

63)   Diffusion Pump 擴散式泵

通過加熱油，油氣蒸發(fā)高速噴射出去，帶出氣體分子，達到抽氣的目的。它可以達到10-5Torr.

64)   Dimple

凹痕表面上輕微的下陷或凹陷。

65) DI Water去離子水

IC制造過程中，常需要用酸堿溶液來蝕刻，清洗芯片。這些步驟之后，又須利用水把芯片表面殘留的酸堿清除。而且水的用量是相當(dāng)大。

        然而IC工業(yè)用水，并不是一般的自來水，而是自來水或地下水經(jīng)過一系列的純化而成。原來自來水或地下水中，含有大量的細(xì)菌，金屬離子及Particle，經(jīng)廠務(wù)的設(shè)備將之殺菌過濾和純化后，即可把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為"去離子水"。專供IC制造的用。

66)   Donor 施體

我們將使原本本征的半導(dǎo)體產(chǎn)生多余電子的雜質(zhì)，稱為施體。如摻入p的情況。

67)   Dopant 摻雜

在原本本征的半導(dǎo)體里主動的植入或通過擴散的方法將其它的原子或離子摻入進去，達到改變其電性能的方法。如離子植入。

68)   Dopant Drive in 雜質(zhì)的趕入

我們離子植入后，一般植入的離子分布達不到我們的要求，我們通過進爐管加高溫的方式將離子進行擴散，以達到我們對離子分布的要求，同時對離子植入造成的缺陷進行修復(fù)。

69)   Dopant Source摻雜源

我們將通過擴散的方法進行摻雜的物資叫摻雜源，例如將Poly里摻入P的POCl3我們將其叫

摻雜源。

70) Doping摻入雜質(zhì)

為使組件運作，芯片必須摻以雜質(zhì)，一般常用的有：

1.預(yù)置:    

     在爐管內(nèi)通以飽和的雜質(zhì)蒸氣，使芯片表面有一高濃度的雜質(zhì)層，然后以高溫使雜質(zhì)驅(qū)入，擴散;或利用沉積時同時進行預(yù)置。  

2.離子植入:    

先使雜質(zhì)游離，然后加速植入芯片。

71)   Dosage 劑量

表示離子數(shù)的一個參數(shù)。

72) DRAM, SRAM動態(tài)，靜態(tài)隨機存取內(nèi)存

隨機存取記憶器可分動態(tài)及靜態(tài)兩種，主要的差異在于動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)，在一  段時間(一般是0.5ms~5ms）后，數(shù)據(jù)會消失，故必須在數(shù)據(jù)未消失前讀取原數(shù)據(jù)再重寫(refresh)，此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點。而DRAM的最大好處為，其每一記憶單元(bit)只需一個Transistor(晶體管）+一個Capacitor(電容器)，故最省面積，而有最高的密度。而SRAM則有不需重寫、速度快的優(yōu)點，但是密度低，其每一記憶單元(bit)有兩類:

1. 需要六個Transistor(晶體管）

2. 2﹒四個Transistor(晶體管）+兩個Load resistor(負(fù)載電阻)。

由于上述它優(yōu)缺點，DRAM一般皆用在PC(個人計算機)或其它不需高速且記憶容量大的記憶器，而SRAM則用于高速的中大型計算機或其它只需小記憶容量，如：監(jiān)視器(Monitor)、打印機(Printer)等周控制或工業(yè)控制上。

73) Drain 汲極

通過摻雜，使其電性與底材P-Si相反的，我們將其稱為汲極與源極。

74) Drive In 驅(qū)入

離子植入(ion implantation)雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無法將雜質(zhì)打入芯片較深(um級)的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進行，一方面將雜質(zhì)擴散到較深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱的驅(qū)入。此法不再加入半導(dǎo)體雜質(zhì)總量，只將表面的雜質(zhì)往半導(dǎo)體內(nèi)更深入的推進。

      在驅(qū)入時，常通入一些氧氣﹒因為硅氧化時，會產(chǎn)生一些缺陷，如空洞(Vacancy)，這些缺陷會有助于雜質(zhì)原子的擴散速度。另外，由于驅(qū)入是藉原子的擴散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出(out-diffusion)，這是需要注意的

75) Dry Oxidation 干式氧化

在通入的氣體中只有氧氣與載氣，只有氧氣與底材發(fā)生氧化反應(yīng)。我們將這種氧化叫干式氧化。

        如我們的Gate-OX，這種方法生成的SiO2質(zhì)量比較好，但生成速度比較慢。

76) Dry pump

Ø Dry pump是最基本的真空pump,它是利用螺桿原理來工作的，它主要的特點是可以從大氣壓下直接開始抽氣，所以可以單獨使用。

Ø 一般真空度要求不高（E-3torr以下）如CVD及furnace僅使用dry pump即可

Ø 特點：Fewer moving parts

                      Higher Reliability

                      Less complexity

                      High speed

77) Dummy Wafer 擋片

對制程起一定輔助作用的硅片，區(qū)別于產(chǎn)品、控片，一般對其質(zhì)量要求不是很高。

1）由于爐管的兩端溫度不穩(wěn)定，氣體的流量不穩(wěn)定，所以我們在Boat的兩端放入不是產(chǎn)品

          的硅片，我們將這樣的硅片叫擋片。

       2）離子植入若產(chǎn)品不足，則需補上非產(chǎn)品的硅片，即擋片

78) Electron/Hole電子/電洞

電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一單位的負(fù)電荷，環(huán)繞在原子核四周，形成原子。

電洞是晶體中，在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來的"空缺"  因缺少一個電子，無法維持電中性， 可視為帶有一單位的正電荷。

79) Electrical Breakdown 電崩潰

當(dāng)NMOS的溝道縮短，溝道接近汲極地區(qū)的載子將倍增，這些因載子倍增所產(chǎn)生的電子，通常吸往汲極，而增加汲極電流的大小，部分電子則足以射入閘氧化層里，而產(chǎn)生的電洞，將流往低材，而產(chǎn)生底材電流；另一部分的電洞則被源極收集，使npn現(xiàn)象加強，熱電子的數(shù)量增加，足使更多的載子倍增，當(dāng)超過閘極氧化層的承受能力時，就擊穿閘氧化層，我們將這種現(xiàn)象叫電崩潰。

80) Electromigration電子遷移

所謂電子遷移，乃指在電流作用下的金屬。此系電子的動量傳給帶正電的金屬離子所造成的。當(dāng)組件尺寸愈縮小時，相對地電流密度則愈來愈大;當(dāng)此大電流經(jīng)過集成電路中的薄金屬層時，某些地方的金屬離子會堆積起來，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來，堆積金屬會使鄰近的導(dǎo)體短路，而金屬空缺則會引起斷路。材料搬動主要原動力為晶界擴散。以濺鍍法所沉積的Al，經(jīng)過適當(dāng)?shù)腁nneal之后，通常是以多晶（Poly-Crystalline）形式存在，當(dāng)導(dǎo)電時，因為電場的影響，Al原子將沿著晶粒界面（Grain-Boundary）移動。

有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對電遷移的抗力，例如:加入抗電移能力較強的金屬，如Cu

oyw1N;K  
82) EM（Electron Migration Test）電子遷移可靠度測試

當(dāng)電流經(jīng)過金屬導(dǎo)線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界(Grain Boundaries)擴散(Diffusion)，使金屬線產(chǎn)生空洞(Void)，甚至斷裂，形成失效。

83) Energy能量

        能量是物理學(xué)的專有名詞。