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2017-12-27 11:33 |
2017年度“中國(guó)高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”揭曉
日前，經(jīng)過(guò)高校申報(bào)和公示、形式審查、學(xué)部初評(píng)、項(xiàng)目終審等評(píng)審流程，由教育部科學(xué)技術(shù)委員會(huì)組織評(píng)選的2017年度“中國(guó)高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”在京揭曉。 D!.c??
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“中國(guó)高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”的評(píng)選自1998年開(kāi)展以來(lái)，至今已20屆，這項(xiàng)評(píng)選活動(dòng)對(duì)提升高等學(xué)�？萍嫉恼w水平、增強(qiáng)高校的科技創(chuàng)新能力發(fā)揮了積極作用，并產(chǎn)生了較大的社會(huì)影響，贏得了較高的聲譽(yù)。 cZVx4y%kz
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現(xiàn)將2017年度入選項(xiàng)目名單予以公布。入選項(xiàng)目名單按主持單位拼音順序排序，排名不分先后。 ,C,nNaW
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入選項(xiàng)目名單 8?Rp2n*o
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入選項(xiàng)目介紹 U p@ ^C"
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非對(duì)稱(chēng)微腔光場(chǎng)調(diào)控新原理研究 vn}m-U XA*
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動(dòng)量守恒是自然界客觀(guān)規(guī)律之一，它反映了時(shí)空性質(zhì)，一個(gè)封閉系統(tǒng)的廣義動(dòng)量總是保持不變。作為增強(qiáng)光與物質(zhì)相互作用的主要物理體系之一，光學(xué)微腔與外部光場(chǎng)的直接耦合需滿(mǎn)足動(dòng)量匹配條件，但往往僅在較窄光譜范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)，使得微腔寬帶光物理與應(yīng)用面臨挑戰(zhàn)。 h *R@ d
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北京大學(xué)“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”龔旗煌院士和肖云峰研究員等在非對(duì)稱(chēng)光學(xué)微腔中提出混沌輔助的光子動(dòng)量轉(zhuǎn)換新原理，實(shí)現(xiàn)了光學(xué)微腔的高效、超寬譜光耦合。非對(duì)稱(chēng)光學(xué)微腔打破了空間旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，調(diào)控了局域光場(chǎng)，從而在支持分立回音壁模式的同時(shí)獲得了準(zhǔn)連續(xù)混沌模式。光子首先從納米波導(dǎo)折射進(jìn)入微腔混沌模式;混沌運(yùn)動(dòng)使得入射光子角動(dòng)量在皮秒時(shí)間尺度內(nèi)快速提升;隨即的動(dòng)力學(xué)隧穿過(guò)程實(shí)現(xiàn)其與回音壁模式高效耦合�；煦巛o助的耦合不再需要微腔與波導(dǎo)模式光子的動(dòng)量匹配，有望在集成光子學(xué)和信息處理等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。此外，他們還利用光學(xué)克爾效應(yīng)的非線(xiàn)性調(diào)制，在實(shí)驗(yàn)上首次觀(guān)測(cè)到微腔光場(chǎng)的自發(fā)對(duì)稱(chēng)性破缺，并獲得了微腔手征光場(chǎng)。 :i&]J$^;
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研究成果分別發(fā)表在《科學(xué)》和《物理評(píng)論快報(bào)》上，得到國(guó)際學(xué)術(shù)界廣泛關(guān)注，被Phys.org和ScienceDailey等十余家國(guó)際科技媒體專(zhuān)題報(bào)道，標(biāo)志著我國(guó)微腔光學(xué)研究達(dá)到了一個(gè)全新高度。 `,}7LfY
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5納米碳納米管CMOS器件 )Fx]LeI;
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芯片是信息時(shí)代的基礎(chǔ)與推動(dòng)力，現(xiàn)有CMOS技術(shù)將觸碰其極限。碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的重要選項(xiàng)。理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實(shí)現(xiàn)三維集成，系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢(shì)將高達(dá)上千倍，芯片技術(shù)由此可能提升至全新高度。 O}i+ 1
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北京大學(xué)電子學(xué)系彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在碳納米管CMOS器件物理和制備技術(shù)、性能極限探索等方面取得重大突破，放棄傳統(tǒng)摻雜工藝，通過(guò)控制電極材料來(lái)控制晶體管的極性，抑制短溝道效應(yīng)，首次實(shí)現(xiàn)了5納米柵長(zhǎng)的高性能碳管晶體管，性能超越目前最好的硅基晶體管，接近量子力學(xué)原理決定的物理極限，有望將CMOS技術(shù)推進(jìn)至3納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。 `df!-\#
2017年1月20日，標(biāo)志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 為題，在線(xiàn)發(fā)表于《科學(xué)》（Science, 2017, 355: 271-276）；被包括IBM研究人員在內(nèi)的同行在《科學(xué)》《自然 納米技術(shù)》等期刊24次公開(kāi)正面引用，并入選ESI高被引論文。相關(guān)工作被Nature Index、IEEE Spectrum、Nano Today、《科技日?qǐng)?bào)》等國(guó)內(nèi)外主流學(xué)術(shù)媒體和新華社報(bào)道；《人民日?qǐng)?bào)》（海外版）評(píng)價(jià)碳管晶體管的“工作速度是英特爾最先進(jìn)的14納米商用硅材料晶體管的三倍，而能耗只是其四分之一”，意味著中國(guó)科學(xué)家“有望在芯片技術(shù)上趕超國(guó)外同行”，“是中國(guó)信息科技發(fā)展的一座新里程碑”。 DgT]Nty@b
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