高分辨透射電子顯微鏡觀察表明，僅僅是在一個(gè)30納秒的激光脈沖后，碳化硅（SiC）襯底就融化并分離成了碳層和硅層。更多的脈沖導(dǎo)致碳層組織成石墨烯，而硅以氣體的形式離開。 VObrlOkp  
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　　我們所有的智能手機(jī)都有閃閃發(fā)光的AMOLED顯示屏。在這些顯示屏的每一個(gè)像素背后都隱藏著至少兩個(gè)用激光退火技術(shù)批量制造的硅晶體管。傳統(tǒng)的方法通常使用高于1000°C的溫度來(lái)制造它們，而激光技術(shù)可以在低溫下達(dá)到相同的結(jié)果，甚至是在塑料基板（熔化溫度低于300°C）上。有趣的是，類似的工藝也可以被用來(lái)產(chǎn)生石墨烯晶體。石墨烯是一種由碳制成的強(qiáng)而薄的納米材料，其導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性引起了世界各國(guó)科學(xué)家的關(guān)注。 &F$:Q:* *  
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　　基礎(chǔ)科學(xué)研究所（IBS）多維碳材料中心KEON Jae Lee教授的研究小組和韓國(guó)先進(jìn)科學(xué)技術(shù)研究院（KAIST）CHOI Sung Yool教授的團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了采用激光誘導(dǎo)固相分離單晶碳化硅（SiC）來(lái)合成石墨烯的機(jī)制。這篇發(fā)表在《自然通信》上的研究論文，闡述了這種激光技術(shù)是如何能將一種復(fù)雜的化合物（碳化硅）分離成碳和硅的超薄元件的。 :VmHfOO  
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