中國科學(xué)家在《自然·納米技術(shù)》雜志上發(fā)表論文稱，他們在單晶石墨烯制備上取得了一項突破。通過對化學(xué)氣相沉積法（CVD）的調(diào)整和改進(jìn)，他們將石墨烯薄膜生產(chǎn)的速度提高了150倍。新研究為石墨烯的大規(guī)模應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。 L2do2_  
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石墨烯是由碳原子構(gòu)成的只有一層原子厚度的二維晶體材料，在電、光、機(jī)械強(qiáng)度上的優(yōu)異特性，使其在電子學(xué)、太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域有著眾多潛在應(yīng)用。雖然需求巨大，但其制備速度緩慢，利用率一直徘徊在25%左右，成為制約其進(jìn)入實際應(yīng)用的瓶頸之一。目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，除膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法外，主要是化學(xué)氣相沉積法。但通過CVD技術(shù)生產(chǎn)單晶石墨烯薄膜仍然需要耗費(fèi)很長的時間，制備一塊厘米見方的單晶石墨烯薄膜至少需要一天的時間，十分緩慢。 KI^