半導體激光器的設計和工藝內(nèi)容與章節(jié)如下，大家可以看看，是中科院的資料。 9*iVv)jd  
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一. 半導體激光器的基本結(jié)構(gòu) E7h@c>I
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•1.半導體雙異質(zhì)結(jié)構(gòu) 51s\)d%l  
•2.Fabry-Perot諧振腔(縱模) qX5]\nX&G  
•3. 側(cè)模控制(基側(cè)模) (1S9+H>g  
•4.橫模控制 0 F8xS8vK+  
•5. 動態(tài)單模半導體激光器 w:B&8I(n}w  
•6. 波長可調(diào)諧半導體激光器 W9gQho%9b  
•7.長波長VCSEL的進展 a.