鍍增透膜后的基底就像有一層霧一樣是什么原因，望各位前輩給小弟解答一下（多層膜，膜系al2o3 zro2 mgf2） R]0`-_T  
還有在鍍多層膜過程中，是否要對基底經(jīng)行全程烘烤以便保持基底溫度，鍍膜時間大約持續(xù)1小時

鍍灰了！找機(jī)器毛病

中國鍍膜人:鍍灰了！找機(jī)器毛病 (2013-10-13 21:50)  N">
#fYix  

'f.k'2T  
能講解的詳細(xì)點(diǎn)兒嗎，應(yīng)該從機(jī)器的什么方向改進(jìn)，從溫度，真空度，還是電子槍蒸發(fā)速度，這個膜系制備過程中真空度平均在9*10-3pa左右，蒸發(fā)速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s，還有在鍍膜全過程中是不是要求烘烤裝置全程打開對基底進(jìn)行加熱。

烘烤不能停，一停溫度就下降很快的，還有如果沒有離子源鍍膜溫度要接近３００度，因?yàn)椋停牵疲膊牧先菀酌撃�，還有你的真空度太低了，應(yīng)該不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，這個材料組合可能不合適

yzhuang:烘烤不能停，一停溫度就下降很快的，還有如果沒有離子源鍍膜溫度要接近３００度，因?yàn)椋停牵疲膊牧先菀酌撃ぃ�還有你的真空度太低了，應(yīng)該不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，這個材料組合可能不合適 (2013-10-16 09:11)  yXv@yn  

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對于這個膜系我 用經(jīng)典四層膜系（zro2（0.058） mgf2（0.072）  zro2（0.5）  mgf2（0.25））做了一些代替 并且在mgf2外層又加鍍了10nm左右的sio2作為保護(hù)層，但是真空度就是控制的不好，請問您，在鍍膜過程中有沒有一些常用的方法能控制好真空度的數(shù)值。ps：我們現(xiàn)在鍍膜所采用的蒸發(fā)速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s。

你ZRO2鍍的不慢嗎？你的工藝存在問題。 SK^(7Ws~0  

1,、測溫度。無離子源不能低于300，鍍完膜再關(guān)烘烤。 g\@