據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，英國(guó)曼徹斯特大學(xué)的科研人員設(shè)計(jì)出一種新型石墨烯晶體管，在其中電子可借助隧穿和熱離子效應(yīng)，同時(shí)從上方和下方穿越障礙，并在室溫下展現(xiàn)出高達(dá)1×106的開(kāi)關(guān)比率。 g,ZA\R~  
]n22+]D  
    石墨烯晶體管獲得較高的開(kāi)關(guān)比率一直難以實(shí)現(xiàn)，而有了高開(kāi)關(guān)比，以及其在柔性、透明基板上的操作能力，新型晶體管能夠在后CMOS設(shè)備時(shí)代占有一席之地，并有望達(dá)到更快的計(jì)算速度。相關(guān)研究發(fā)表在近期出版的《自然·納米技術(shù)》雜志上。
^u
/%z
L  

|y\Km