用tracepro中的grid光源
模擬半導體激光器,發(fā)光面積為1微米*100微米,發(fā)散半角快軸20度,慢軸4度。設置的grid boundary 為矩形,面積與發(fā)光面大小一致。在beam setup的spatial設置中,選擇gaussian類型,beam waist設置兩個方向上的束腰,束腰是用發(fā)散角利用公式求出來的,束腰比發(fā)光面尺寸小很多。下面的angle分布,也選擇的是gaussian類型,并輸入兩個方向上的發(fā)散半角。
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光線追擊后,我通過放大看到grid中發(fā)光區(qū)域并不是發(fā)光面的大小,而是按照束腰大小的高斯分布,比發(fā)光面要小很多。
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