LED的發(fā)光道理。LED是由Ⅲ-V族化合物，如GaAs(砷化鎵)、GaAsP(磷化鎵砷)、A1GaAs(砷化鋁鎵)等半導(dǎo)體系體例成，其中心是P-N結(jié)，因而它具有普通P-N結(jié)的伏一安特征，即正導(dǎo)游通、反向停止、擊穿特征。當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體分離時(shí)，因?yàn)榻尤烂嫣幋嬖诘妮d流子濃度差。于是電子和空穴都市從高濃度地區(qū)向低濃度地區(qū)分散。如許，P區(qū)一側(cè)得到空穴剩下不可以挪動的負(fù)離子，N區(qū)一側(cè)得到電子而留下不可以挪動的正離子。這些不可以挪動的帶電粒子便是空間電荷�？臻g電荷會合在P區(qū)和N區(qū)接壤面左近，構(gòu)成了很薄的空間電荷區(qū)，便是P-N結(jié)。當(dāng)給P-N結(jié)1個(gè)正向電壓時(shí)。便改動了P-N結(jié)的靜態(tài)均衡。注入的少量載流子(少子)與半數(shù)以上載流子(多子)復(fù)適時(shí)，便將多余的能量以光的方式開釋出來，從而把電能間接轉(zhuǎn)換為光能。假如給PN結(jié)加反向電壓，少量載流子(少子)難以注入，故不發(fā)光。 　　 VK5|w:  
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