超紫外線(xiàn)(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻技術(shù)被認(rèn)為是未來(lái)取代深紫外線(xiàn)(Deep Ultraviolet，DUV)且滿(mǎn)足摩爾定律的22納米及以下世代最可行的候選技術(shù)。由于激光發(fā)的等離子體(Laser Produced Plasma，LPP)技術(shù)較易達(dá)到高功率超紫外線(xiàn)光源之需求，且具有較高的超紫外線(xiàn)發(fā)射效率和收集效率，是量產(chǎn)用超紫外線(xiàn)光源系統(tǒng)的最佳選擇。超紫外線(xiàn)光源系統(tǒng)未來(lái)技術(shù)研發(fā)藍(lán)圖提供了一份符合大規(guī)模生產(chǎn)的超紫外線(xiàn)光源系統(tǒng)的詳細(xì)進(jìn)程表和針對(duì)22納米及以下一代制程的技術(shù)要求。