德國的Silicon Sensor公司是高性能探測器領(lǐng)域的開拓者和生產(chǎn)商，具有很強(qiáng)的研發(fā)和制造能力，提供覆蓋X射線波段到中紅外波段的光電二極管，在高性能探測器領(lǐng)域處于國際領(lǐng)先地位。Silicon Sensor公司的探測器和探測解決方案能夠滿足多個領(lǐng)域的醫(yī)療、工業(yè)、軍事、航空、安全、自動化等行業(yè)。 ; teM^zyI  
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 Silicon Sensor公司成立于1991年，總部位于柏林，并且在德國的Dresden、Oberdischingen和美國的Westlake Village設(shè)有分部，目前有超過300名雇員。 Jcm
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    頂尖科儀 深圳聯(lián)系人 劉先生 手機(jī)13927443410 現(xiàn)駐北京辦事處 電話010-82800851轉(zhuǎn)23 傳真010-82800852。 |l+5E   
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圖片:PIN響應(yīng)曲線.jpg

圖片:APD響應(yīng)曲線.jpg

圖片:1.jpg

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    PIN光電二極管 ,1N|lyV   
型號    特性    特性參數(shù)    應(yīng)用領(lǐng)域 'hs4k|B  
PIN2    紫外/藍(lán)光增強(qiáng)    光譜范圍200~1100nm    紫外曝光、污染檢測、醫(yī)療設(shè)備、熒光探測 gK({InOP  
PIN5    高速    上升沿時間<5ns    脈沖光探測、高速光測定、光通信、光纖光學(xué)監(jiān)測 xUsL{24  
PIN5t    高速、低壓應(yīng)用    上升沿時間<5ns    脈沖光探測、高速光測定、光通信、光纖光學(xué)監(jiān)測 -$[&{.B.  
PIN6    低暗電流    暗電流<1nA    脈沖光探測、高速光測定、醫(yī)療設(shè)備、分析儀器 m}s.a.x  
PIN6b    藍(lán)光增強(qiáng)（保持低暗電流）    藍(lán)光響應(yīng)強(qiáng)，暗電流<0.5nA    熒光探測、高速光測定、醫(yī)療設(shè)備、分析儀器 -mG`* 0  
PIN7    低結(jié)電容    結(jié)電容和其它款相比小一半以上    高速光測定、醫(yī)療設(shè)備 Zp~yemERr  
PIN Q    紅外1064nm優(yōu)化    紅外響應(yīng)強(qiáng)    高速光測定、1064nm光探測、近紅外脈沖傳感 L8Tm8)  
      #O\as~-  
PIN系列-2 紫外/藍(lán)光增強(qiáng)型 2[qfF6FHA  
Order number    Type No.    Active Area    Dark current (nA)    Rise time (ns)     !W@mW 5J|  
    Chip    Package    Size (mm)    Area (mm&sup2;)    5 V     410 nm | 5 V | 50 Ω     o9"?z  
500981    PS1-2    LCC6.1    1.0 x 1.0    1    0.01    50     -kMw[Y  
"IT7.!=@9  
501103    PS1-2    TO52    1.0 x 1.0    1    0.01    50     6Jb0MX"AVr  
nk%v|ZxoFv  
500041    PC10-2    TO5    Ø 3.57    10    1    300     7)
r]h?  
rMbq_
5}
 
501261    PS100-2    BNC    10 x 10    100    10    2000     v>B412l  
Z,E
$4Z  
500047    PS100-2    CERpin    10 x 10    100    10    2000     k/
wD@H N  
F!ztU8,  
501231    PS13-2    TO5    3.5 x 3.5    13    1    400     )-Hs]D:  
J#F5by%8  
501232    PS33-2    TO8    5.7 x 5.7    33    2    800     "j,v
lG  
`7:uc@  
500046    PC5-2    TO5    Ø 2,52    5    0.3    150     nco.j:  
wPjq B{!Q  
500045    PC50-2    BNC    Ø 7.98    50    5    1000     Si?s69  
bN zb#P#hP  
501230    PS7-2    TO5    2.66 x 2.66    7    0.4    200     )PP yJ@M  
~. vridH  
雪崩二極管（APD） C:t>u..  
APD型號    特征    特性參數(shù)    應(yīng)用領(lǐng)域 ^py=]7[I  
APD8    高速、高增益    上升沿時間ps量級    激光測距、高速光學(xué)測定、光通信、醫(yī)療設(shè)備 0HoHu*+FX  
APD9    近紅外波段增強(qiáng)    近紅外響應(yīng)增強(qiáng)    激光測距、高速光學(xué)測定、光通信、醫(yī)療設(shè)備 X_o#!  
APD10    1064nm波段增強(qiáng)    1064nm波段響應(yīng)增強(qiáng)    1064nm光追蹤、測距、熒光探測 EOrui:.B)  
APD11    藍(lán)光增強(qiáng)    藍(lán)光波段響應(yīng)增強(qiáng)    分析儀器、閃爍器讀數(shù)、高速光測定、醫(yī)療設(shè)備 'QT~o-U  
APD12    紅光增強(qiáng)    藍(lán)光響應(yīng)強(qiáng)，暗電流<0.5nA    激光測距、光通信、光束光測定、醫(yī)療設(shè)備 Y|fD)zG_  
]wU/yc)e  
APD系列-8 高速/高增益 BA2"GJvfIA  
Order number    Type No.    Active Area    Dark current (nA)    Breakdown voltage (V)    Rise time (ns)     v-3VzAd=*&  
    Chip    Package    Size (mm)    Area (mm&sup2;)    M = 100        M = 100     .s*N1 U?h  
501810    AD100-8    LCC6.1    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    max. 0,18     ?o;ip  
[:cD  
501811    AD100-8    LCC6.1f    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    max. 0,18     bt)