1、 前言
p7z# 4 GW 2oN lQiE_ 近幾年來(lái)III族氮化物(III-Nitride)高亮度發(fā)光二極體(High Brightness Light Emission Diode; HB-LED)深獲廣大重視，目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)誌、LCD背
光源及各種
照明使用上�；旧希珿aN
LED是以磊晶(Epitaxial)方式生長(zhǎng)在藍(lán)寶石基板(Sapphire Substrate)上，由于磊晶GaN與底部藍(lán)寶石基板的晶格常數(shù)(Lattice Constant)及熱膨脹係數(shù)(Coefficient of Thermo Expansion; CTE)相差極大，所以會(huì)產(chǎn)生高密度線差排(Thread Dislocation)達(dá)108~1010 / cm2，此種高密度線差排則會(huì)限制了GaN LED的發(fā)光效率。
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