AZO透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)近況發(fā)展與應(yīng)用   Tg:NeAN7(  
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近年來隨著液晶顯示器與太陽能電池的發(fā)展，使得透明導(dǎo)電薄膜成為關(guān)鍵性材料之一。因此，如何降低透明導(dǎo)電薄膜材料成本與提高薄膜材料的性能為目前的首要目標(biāo)。所以在美國、歐洲與亞洲的研究學(xué)者都急欲發(fā)展出新一世代的透明導(dǎo)電薄膜材料。目前有幾種因素在加速驅(qū)動(dòng)這新世代透明導(dǎo)電薄膜的誕生。首先是由於目前所常用的ITO透明導(dǎo)電薄膜材料其主要是應(yīng)用在液晶顯示器與太陽能電池上，但近年來液晶顯示器與太陽能電池的需求大增。此外，觸控面板的成長性亦相當(dāng)可觀。富士總研估計(jì)觸控面板2006年全球產(chǎn)值25.4億美金，2007年已達(dá)27億美金。此一新興電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展亦助長了ITO薄膜的使用，因而造成銦的價(jià)格在過去的三年中大幅成長，目前銦的價(jià)錢已經(jīng)超過600USD/kg。因此開發(fā)具透光、導(dǎo)電特性之「非銦」材料，或許是解決銦供給不足的方法之一。這些因素促使發(fā)展新型之透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)與材料，成為近年來眾多研究學(xué)者所欲突破的目標(biāo)。 GMNf#;x  
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AZO(氧化鋁鋅)透明導(dǎo)電薄膜特性 G$@X>)2N8  

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氧化鋅（Zinc Oxide, ZnO）屬於N型Ⅱ－Ⅵ族半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)為Wurzite hexagonal structure，屬於六方最密堆積。氧化鋅具有高熔點(diǎn)（1975℃）和極佳熱穩(wěn)定性，能溶於酸鹼，但不溶於水及酒精。氧化鋅光學(xué)能隙約為3.3  eV，大於可見光的能量，因此於可見光範(fàn)圍內(nèi)具有高穿透率。氧化鋅電阻值高，具有壓電效應(yīng)，傳統(tǒng)應(yīng)用於壓電材料上，另外亦可應(yīng)用於表面聲波元件或是UV光發(fā)射器材料等。氧化鋅其電子傳導(dǎo)是由化學(xué)劑量比的偏差所產(chǎn)生的，由氧空缺（oxygen  vacancies）及間隙型鋅原子（interstitial znic）之淺層受體能階（shallow donor  levels）提供，氧化鋅的電阻較高，因此一般於透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用上，則會(huì)將其摻雜Ш族元素（鋁、鎵、銦等），使其導(dǎo)電特性提高，同時(shí)也增加其高溫穩(wěn)定性。因此提供適當(dāng)量摻雜量的鋁，能夠使氧化鋅的導(dǎo)電性變佳。 !uO|T'u0a  
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由於AZO透明導(dǎo)電薄膜其價(jià)格較為低廉，且不具毒性。因此在發(fā)展上具相當(dāng)之優(yōu)異性。因此，沉積AZO薄膜技術(shù)的發(fā)展也相當(dāng)多元化，目前沉積此薄膜主要有下列幾種技術(shù)： _cGiuxf #  
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脈衝雷射蒸鍍(Pulsed Laser Deposition；PLD) GtGToI  
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一般在鍍製ITO透明導(dǎo)電薄膜時(shí)，其最佳之靶材比例為5-10 % 的SnO2摻雜至 In2O3。但在AZO薄膜材料中其最佳之鋁之摻雜比例<5%，因此就AZO薄膜而言，所摻雜金屬元素的含量控制是相當(dāng)重要的。PLD之實(shí)驗(yàn)技術(shù)可確保薄膜成分與靶材成分比例的一致性。因此，將靶材比例控制在2-5%(Al:ZnO)來成長AZO薄膜，其薄膜的製程溫度為400℃，真空腔體的氧分壓為~10-3  Torr。 P{>T?-Hj  
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不同鋁含量下，AZO薄膜之電阻率與載子濃度之關(guān)析圖 ~Q%QA._R?  
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(Ref: J. Crystal Growth 294 (2006) 427) 圖一顯示在不同鋁含量下，AZO薄膜的電阻率與載子濃度之關(guān)析圖。相較於只有ZnO時(shí)，載子濃度隨著Al含量的加入而增加至少兩個(gè)級(jí)數(shù)以上。但隨著鋁的含量增加超過2%以上，其載子濃度之大小又隨之下降。在2 %鋁的摻雜中其載子濃度之最大值為8×1020  cm-3。但在電阻率之特性方面受到兩種機(jī)制之影響，載子濃度(摻雜離子濃度)與霍爾移動(dòng)率(氧的缺陷)。但此研究的氧分壓為一固定值，因此在霍爾移動(dòng)率對(duì)電阻率的影響應(yīng)該是有限的。在不同鋁含量時(shí)，AZO薄膜之最低電阻率~6×10-4Ω-cm也出現(xiàn)在鋁含量2%時(shí)。超過2%的鋁含量時(shí)，反而造成其電阻率的上升，其原因是過多的鋁造成其電子的傳遞被限制住了，亦或是過多的鋁含量造成AZO薄膜結(jié)構(gòu)的缺陷，而使的鋁的化學(xué)劑量比並非以氧化鋁的方式存在，因而造成此AZO薄膜電阻率的增加，而在光穿透率方面其AZO薄膜在可見光區(qū)約是~80%。 IBF>4qm"  
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