高光效、長(zhǎng)壽命、低價(jià)格是白光LED進(jìn)入普通照明必過(guò)的三關(guān)，提高芯片的內(nèi)外量子效率、高技巧封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及工藝、提高YAG：Ce3＋的光轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)前直面的三題，認(rèn)真研究粉體的相結(jié)構(gòu)，顆粒形貌和發(fā)光特性，合成純相、大小均勻的球形熒光粉是熒光粉工程師的基本功，穩(wěn)定Ce3＋的濃度在封裝過(guò)程必須十分重視。 9Ao0$|@b  
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相結(jié)構(gòu) 0XlX7Sk+  
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在Y2O3-AL2O3體系中，通過(guò)XRD可發(fā)現(xiàn)三種不同的相，其中Y3AL5O12（YAG）釔鋁石榴石相、YALO3（YAP）釔鋁鈣鈦礦相和Y4AL2O9（YAM）釔鋁單斜相。后兩種YAP和YAM為中間相。通過(guò)亮度測(cè)定，只有純YAG相發(fā)光亮度最高。傳統(tǒng)的硬化學(xué)合成中由于原料混合均勻困難，受固相化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)因素的影響，反應(yīng)需要在較高的溫度（>1600℃）和較長(zhǎng)時(shí)間（如數(shù)小時(shí)）中間相才能轉(zhuǎn)化為YAG純相。在軟化學(xué)合成中，也同樣存在YAP-YAM-YAG中間相的多階段轉(zhuǎn)化，只是溫度（如1350-1450℃）和時(shí)間（1.5-2小時(shí)）的差異，因此化學(xué)反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間是獲得純相的基本條件。 ;F&wGe  
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鈰激活的釔鋁石榴石YAG：Ce3＋是立方晶體，AL 位于晶體的四面體和八面體格位，Y位于十二面體格位，同ⅢＢ族元素的三價(jià)離子Sc3+ 、La3+ 、Gd3+和 Lu3+具有與 Y3+相同飽和裸露外電子層，原子半徑相近，都有可能形成十二面體晶格。由于Sc、Lu價(jià)格高、Gd的敏化效果好于La，在合成這類(lèi)晶體時(shí)會(huì)選擇Gd取代部份Y作為基質(zhì)材料，同理，同ⅢA族元素的三價(jià)離子Ga3+、In3+具有與Al3+相同裸露外電子層，能進(jìn)入八面體和四面體格位，也作為基質(zhì)材料，只是Ga3+和In3+的離子半徑大于Al3+，其發(fā)光波長(zhǎng)有藍(lán)移。因此實(shí)際合成YAG的組成為（Y1-a-bCeaGdb）3（AL1-cGac）5O12。LED白光是由 InGaN基芯片發(fā)出的460nm藍(lán)光和YAG熒光粉吸收部分藍(lán)光發(fā)出555nm左右的黃綠色光混色產(chǎn)生。由于紅色光波不足，因此在合成低色溫YAG時(shí)摻入發(fā)射612nmPr3+和增強(qiáng)發(fā)射效果的Sm3+等共激活劑。