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    [轉(zhuǎn)載]紅外焦平面陣列技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及其趨勢(shì) [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2009-11-27
    關(guān)鍵詞: 紅外焦平面陣列
    跨入二十一世紀(jì)以來(lái),紅外熱攝像技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)歷了三十多個(gè)年頭。其發(fā)展已從當(dāng)初的機(jī)械掃描機(jī)構(gòu)發(fā)展到了目前的全固體小型化全電子自掃描凝視攝像,特別是非致冷技術(shù)的發(fā)展使紅外熱攝像技術(shù)從長(zhǎng)期的主要軍事目的擴(kuò)展到諸如工業(yè)監(jiān)控測(cè)溫、執(zhí)法緝毒、安全防犯、醫(yī)療衛(wèi)生、遙感、設(shè)備先期性故障診斷與維護(hù)、海上救援、天文探測(cè)、車(chē)輛、飛行器和艦船的駕駛員夜視增強(qiáng)觀察儀等廣闊的民用領(lǐng)域。 .^uu* S_  
    TuU.yvkU  
      紅外熱攝像技術(shù)的發(fā)展速度主要取決于紅外探測(cè)器技術(shù)取得的進(jìn)展。三十年來(lái),紅外探測(cè)器技術(shù)已從第一代的單元和線陣列發(fā)展到了第二代的二維時(shí)間延遲與積分(TDI)8~12μm的掃描和3~5μm的640×480元InSb凝視陣列,目前正在向焦平面超高密度集成探測(cè)器元、高性能、高可靠性、進(jìn)一步小型化、非致冷和軍民兩用技術(shù)的方向發(fā)展,正在由第二代陣列技術(shù)向第三代微型化高密度和高性能紅外焦平面陣列技術(shù)方向發(fā)展。 (GV6%l#I  
    t*x;{{jL#(  
    1 發(fā)展現(xiàn)狀 uzo}?X#  
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      1.1 超高集成度的焦平面探測(cè)器像元 QWoEo  
    >i~c>+R  
      像可見(jiàn)光CCD之類(lèi)的攝像陣列一樣,要提高系統(tǒng)成像的分辨率和目標(biāo)識(shí)別能力,大幅度地提高系統(tǒng)焦平面紅外探測(cè)像元的集成度是一種重要的途徑。各公司廠家都在盡力增加焦平面陣列的像元數(shù),發(fā)展各種格式的大型或特大型紅外焦平面陣列。 g#AA.@/Z  
    ?tcbiXRG+  
      在1~3μm的短波紅外(SWIR)焦平面陣列方面,由于多年來(lái)的軍用都集中在中波紅外(MWIR)和長(zhǎng)波紅外(LWIR)波段,因而SWIR焦平面陣列技術(shù)的發(fā)展受到忽略,但由于這個(gè)波段的許多應(yīng)用是MWIR和LWIR應(yīng)用達(dá)不到的,因而近幾年來(lái)加快了對(duì)SWIR焦平面陣列技術(shù)的發(fā)展步伐,目前的陣列規(guī)模已達(dá)到2048×2048元(400萬(wàn)元)。 !|!V}O