在LED晶圓(LED外延片)制程方面，不同的襯底材料，需要不同的磊晶（晶圓生長）技術(shù)、芯片加工技術(shù)和封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下9個方面，襯底的選擇要同時滿足全部應(yīng)該有的好特性。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工制程的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。 Z|?XQ-R5  
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如果我們來看LED襯底材料，好的材料應(yīng)該有的特性如下： cT0g, ^&  
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1.結(jié)構(gòu)特性好，晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。 [sk"2  
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2.接口特性好，有利于晶圓料成核且黏附性強。 gq@."wHU  
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3.化學(xué)穩(wěn)定性好，在晶圓生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕。 U;