美國
LED大廠Cree向美國專利商標局(USPTO)申請的20080272386號專利,已于11月公開,內(nèi)容是使用
激光剝削或切削(laserablationorsawing)技術直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches),再利用旋轉(zhuǎn)涂布法將
半導體納米晶體或熒光粉等熒光材料填入凹槽中,在凹槽間形成一個凸面橋,這個方法可以讓
白光LED變得更小、更容易制造。 這些熒光填充物能把SiC基板上的GaNLED所發(fā)出的窄頻域藍光,轉(zhuǎn)換成寬帶譜的白光。專利發(fā)明人PeterAndrews指出,與目前將LED置于杯狀基座(submount)中并以光轉(zhuǎn)換材料
封裝的技術相比,在基板上刻蝕出凹槽是一大進展,因為前者會限制白光LED的最小尺寸。為了協(xié)助光脫離LED,廠商會改變基座的形狀并提高其反射率,而Cree的凹槽設計也有提高光萃取率的作用。
,<!v!~Iy 9y{R_ Andrews指出,除了傳統(tǒng)LED使用的熒光粉外,在凹槽中引進硒化鎘(CdSe)等半導體納米微晶,也有助于控制發(fā)光
波長。Cree建議以噴墨(inkjet)印刷、網(wǎng)印(screenprinting)與噴槍(airbrush)應用系統(tǒng)取代常見的旋涂法,將這類新穎材料填入凹槽中。
=a!_H=+4 Fu[<zA^ 盡管采用新的波長轉(zhuǎn)換材料并增加了凹槽設計,LED裸晶仍保有傳統(tǒng)的標準電極結構,因此可繼續(xù)封裝成LED,或直接那來使用,例如直接被固定在電路板或基板上作應用。