隨著超大規(guī)模集成技術(shù)的發(fā)展，cmos圖像傳感器顯示出強(qiáng)勁的發(fā)展趨勢(shì)。cmos圖像傳感器可在單芯片內(nèi)集成時(shí)序和控制電路、a/d轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理等功能。本文簡(jiǎn)單介紹了cmos圖像傳感器的背景，分析了cmos圖像傳感器和 ccd 圖像傳感器的優(yōu)缺點(diǎn)，綜述了目前cmos圖像傳感器的研究進(jìn)展。 ,2=UuW"K  
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一、前言 /V#MLPA  
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自 60 年代末期美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出固態(tài)成像器件和一維ccd 模型器件以來，ccd在圖像傳感、信號(hào)處理、數(shù)字存儲(chǔ)等方面發(fā)展迅速。隨著ccd器件的廣泛應(yīng)用，其缺點(diǎn)逐漸顯露出來。為此，人們又開發(fā)了另外幾種固態(tài)圖像傳感器，其中最有發(fā)展?jié)摿Φ氖遣捎脴?biāo)準(zhǔn)cmos制造工藝制造的cmos圖像傳感器。| h1Ke$#$6  
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實(shí)際上早在70 年代初，國(guó)外就已經(jīng)開發(fā)出cmos 圖像傳感器，但成像質(zhì)量不如ccd，因而一直無法與之相抗衡。90年代初期，隨著超大規(guī)模集成技術(shù)的飛速發(fā)展，cmos 圖像傳感器可在單芯片內(nèi)集成a/d轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理、自動(dòng)增益控制、精密放大和存儲(chǔ)等功能，大大減小了系統(tǒng)復(fù)雜性，降低了成本，因而顯示出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。此外，它還具有低功耗、單電源、低工作電壓(3v～5v)、成品率高，可對(duì)局部像元隨機(jī)訪問等突出優(yōu)點(diǎn)。因此，cmos圖像傳感器重新成為研究、開發(fā)的熱點(diǎn)，發(fā)展極其迅猛，目前已占據(jù)低、中分辨領(lǐng)域�，F(xiàn)在，cmos圖像傳感器的一些參數(shù)性能指標(biāo)已達(dá)到或超過 8r7/IGFg  
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二、ccd 與 cmos 的比較 m _t(rn~f6  
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1、成像過程                  w\0Oz?N  
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ccd 和 cmos 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：ccd 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；cmos 則以類似 dram的方式讀出信號(hào)，電路簡(jiǎn)單，讀出速率高。 kw*Cr/'*  
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2、集成度 Vp- n(Z  
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采用特殊技術(shù)的ccd讀出電路比較復(fù)雜，很難將a/d轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理、自動(dòng)增益控制、精密放大和存儲(chǔ)功能集成到一塊芯片上，一般需要 3～8 個(gè)芯片組合實(shí)現(xiàn)，同時(shí)還需要一個(gè)多通道非標(biāo)準(zhǔn)供電電壓。借助于大規(guī)模集成制造工藝，cmos圖像傳感器能非常容易地把上述功能集成到單一芯片上，多數(shù)cmos圖像傳感器同時(shí)具有模擬和數(shù)字輸出信號(hào)。 Y\\3g_YBF  
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3、電源、功耗和體積                  0C9QAJa  
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ccd 需多種電源供電，功耗較大，體積也比較大。cmos 只需一個(gè)單電源(3v~5 v)供電，其功耗相當(dāng)于 ccd 的1/10，高度集成cmos 芯片可以做的相當(dāng)小。 PuUon6bZ  
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