專就激光器切割(Laser Cutting or Laser Scribing)而論,其原理系利用高能量集中于極小面積上所產(chǎn)生的熱效應(yīng)(Thermal Technique), 所以非常適用于切割具有硬(Hard)、脆(Brittle)特性的陶瓷材料, 氧化鋁(Alumina)基板就是一個(gè)常見激光器切割成功的應(yīng)用案例。 然而將激光器使用于8”以下硅芯片的切割案例并不多見, 雖然作者亦曾于1999 Productronica Munchen實(shí)地參觀過(guò)瑞士Synova公司所開發(fā)以亞格激光器為核心的硅芯片切割機(jī)。至于學(xué)術(shù)界對(duì)于激光器切割硅材質(zhì)的研究則至少可以追溯到1969年L. M. Lumley發(fā)表于Ceramic Bulletin的文章”Controlled Separation of Brittle Materials Using a Laser”。  "+6:vhP5  
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　　將激光器切割機(jī)使用于硅芯片切割工藝, 除了激光器本身巨大的熱量問(wèn)題需要克服之外,其實(shí)不論就售價(jià)、工藝良率、與產(chǎn)能而論, 激光器切割機(jī)均未較以鉆石刀具(Diamond Blade)為基礎(chǔ)的芯片切割機(jī)(Wafer Saw)優(yōu)越, 所以8”硅芯片的切割工藝目前仍以芯片切割機(jī)為主流, 不過(guò)由于電子產(chǎn)品輕薄化的趨勢(shì)與硅芯片延伸至300 mm, 使得芯片切割機(jī)的地位受到激光器切割機(jī)極大的挑戰(zhàn), 請(qǐng)參考以下說(shuō)明。  }yfSF|\  
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　　2. 芯片切割的未來(lái)  Z`=[hu  
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　　以鉆石刀具來(lái)切割芯片將使得芯片的背面承受拉應(yīng)力(Tension Stress), 因此, 當(dāng)厚度變薄時(shí)會(huì)造成更嚴(yán)重的芯片背崩(Back Side Chipping or Cracking), 而Flip Chip的封裝方式更加突顯芯片背崩的品質(zhì)問(wèn)題。  y.l`NTT]<  
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　　雖然降低切割速度或者采取階段切割(Step Cutting)的方式都可以改善芯片背崩的品質(zhì)問(wèn)題, 不過(guò)二者皆需付出降低產(chǎn)能的代價(jià)。日本DISCO公司研發(fā)出所謂DBG(Dicing Before Grinding)的工藝來(lái)解決此問(wèn)題, 不過(guò)除了Dicing(切割)與Grinding(背磨)之外, 此DBG工藝尚包括繁復(fù)的Tape(上膠帶)與De-tape(去膠帶)程序,所以此構(gòu)想至今并未廣為業(yè)界接受。  :bhpYEUMx  
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　　如果切割時(shí)刀具能夠不施力于芯片, 無(wú)疑的將可避免芯片背崩的產(chǎn)生, 因此非接觸(Non Contact)的切割方式, 如激光器或者蝕刻(Etch), 就特別受到業(yè)者的注意與期待。不過(guò)以上的兩種替代(Alternative)工藝亦都有其需要克服的問(wèn)題, 所以目前亦未有量產(chǎn)的相關(guān)芯片切割機(jī)種出現(xiàn)。  UE[5Bw?4X  
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　　除了芯片背崩的問(wèn)題之外, 其實(shí)Low-k材質(zhì)的出現(xiàn)才是目前激光器切割機(jī)受到大家矚目的真正原因。許多Low-k材質(zhì)由于其Porous或者Polymer的特性, 并不宜以鉆石刀具來(lái)切割, 然而如以傳統(tǒng)的激光器為之, 亦會(huì)因高熱而產(chǎn)生不良的切割品質(zhì)。 lbCTc,xT  
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最理想的狀況就是希望激光器的能量能夠全部用以去除Low-k材質(zhì), 而不會(huì)殘留多余的熱量, 換句話說(shuō), 激光器僅需負(fù)責(zé)去除Low-k材質(zhì), 而芯片本身則仍以傳統(tǒng)的鉆石刀具來(lái)切割, 除非日后芯片厚度薄到無(wú)法承受鉆石刀具的撞擊或者激光器光能夠?qū)⑵漭p易的切穿, 否則此種Hybrid(復(fù)合)的方式應(yīng)是比較合理的作法。  f;u<r?