300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm IhY[c/|i
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 0~)cAKus
780~1200 nm T ave <1% 7H9&\ur9+
S9U`-\L0
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個(gè)膜堆(2短1長(zhǎng) ) T =_Hd
#r>
H: Ta2O5 L:SiO2 .kyp5CD}4
evz{@;.R
該如何設(shè)計(jì)