極紫外光刻 (EUV)
ZaV66Y> {'bkU9+ 嚴格的 OPC 和源
優(yōu)化 FNRE_83 嵌入式多層鏡面缺陷任意缺陷幾何形狀
6#63D>OWp 可檢測性
3T^dgWXEG 印刷適性
>!.lr9(l 離軸陰影效應(yīng)、HV 偏差(包括非常量散射系數(shù))吸收器堆棧分析(EM-Stack)吸收器輪廓(側(cè)壁和拐角圓化吸收體缺陷EUV 的 OPC(小面積)多層鏡面
結(jié)構(gòu) (PSM)
~l(tl[ @uD{`@[ 雙重圖案
_;RD-kv weadY,-H8 光刻蝕刻 光刻蝕刻
3$f5][+U 光刻凍結(jié) 光刻蝕刻
on&=%tCAL 側(cè)壁間隔物
rSCX$ @@F 晶圓形貌效應(yīng)
L.