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hyperlith光刻軟件

發(fā)布:speos 2024-12-02 14:28 閱讀:193
極紫外光刻 (EUV) ZaV66Y>  
{'bkU9+  
嚴格的 OPC 和源優(yōu)化 FNRE_83  
嵌入式多層鏡面缺陷任意缺陷幾何形狀 6#63D>OWp  
可檢測性 3T^dgWXEG  
印刷適性 >!.lr9(l  
離軸陰影效應(yīng)、HV 偏差(包括非常量散射系數(shù))吸收器堆棧分析(EM-Stack)吸收器輪廓(側(cè)壁和拐角圓化吸收體缺陷EUV 的 OPC(小面積)多層鏡面結(jié)構(gòu) (PSM) ~l(tl[  
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雙重圖案 _; RD-kv  
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光刻蝕刻 光刻蝕刻 3$f5][+U  
光刻凍結(jié) 光刻蝕刻 on&=%tCAL  
側(cè)壁間隔物 rSCX$ @@F  
晶圓形貌效應(yīng) L.