據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道,日本
芯片制造商 Rapidus、東京
大學(xué)將與法國
半導(dǎo)體研究機構(gòu) Leti 合作,共同開發(fā)
電路線寬為 1nm 級的新一代半導(dǎo)體設(shè)計的基礎(chǔ)技術(shù)。
C0.bjFT| XEvDtDR 報道稱,雙方將從明年開始展開人員交流、技術(shù)共享,法國研究機構(gòu) Leti 將貢獻其在芯片元件方面的專業(yè)技術(shù),以構(gòu)建供應(yīng) 1nm 產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施。
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