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說(shuō)明 YJ7V`N p E^ h=!RW{ 在本例中，我們仿真了使用BaTiO2的鐵電波導(dǎo)調(diào)制器，BaTiO2是一種折射率因外加電場(chǎng)而發(fā)生變化的材料。該器件的結(jié)構(gòu)基于文獻(xiàn)[1]。我們模擬并分析了給定工作頻率下波導(dǎo)調(diào)制器的有效折射率與電壓的關(guān)系。 mZ0J!QYk Vs 0 S Xj  cJ}QXuuUv %NHYW\sKX 背景 yfjXqn[Z4
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k 鐵電波導(dǎo)由硅層和玻璃襯底上的BiTiO3（也稱為BTO）層組成。BiTiO3晶體的取向?yàn)榫w的[011]方向平行于光傳播方向（y方向），[001]方向沿著z方向。BiTiO3層的頂部的非晶硅可以形成脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，可以限制橫向（x方向）的光分布。金電極觸點(diǎn)被放置在離非晶硅脊波導(dǎo)兩側(cè)1μm遠(yuǎn)的地方。 q<=:
>? \X}8 q  |@ VF.)_ DhKr;e 在本案例中，我們首先使用CHARGE求解器模擬不同偏置電壓下，波導(dǎo)橫截面上的電場(chǎng)分布。然后，我們根據(jù)對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)分布變化來(lái)計(jì)算BiTiO3材料折射率的變化，并模擬分析出不同偏置電壓下波導(dǎo)的有效折射率。 #'o7x 'n^ V`a+Hi<P\ 步驟一：用CHARGE模擬電場(chǎng)分布 KAA3iA@>+ 在建立好模型后，我們將陰極觸點(diǎn)設(shè)置為定值0 V，陽(yáng)極觸點(diǎn)設(shè)置為掃描模式，掃描范圍為1-5 V，掃描點(diǎn)間隔為0.5 V。 q{4|Kpx@ uf)
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