中國(guó)科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在單個(gè)碳化硅自旋色心熒光增強(qiáng)的研究中取得新進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)李傳鋒、許金時(shí)等人成功利用表面等離激元大幅增強(qiáng)了單個(gè)碳化硅雙空位PL6色心的熒光亮度，并利用共面波導(dǎo)的特性大幅提高了自旋操控效率。這項(xiàng)技術(shù)成本低、無(wú)需復(fù)雜的微納加工工藝，且不影響色心的相干性質(zhì)，對(duì)于發(fā)展基于碳化硅自旋色心的量子應(yīng)用具有重要意義。研究成果5月8日以“Plasmonic-enhanced bright single spin defects in silicon carbide membranes”為題，在線發(fā)表在國(guó)際知名期刊《Nano Letters》。 QK0h6CX  
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固態(tài)自旋色心是用于量子信息處理的重要體系，其熒光亮度是邁向?qū)嵱没�量子�?yīng)用的重要參數(shù)。通過(guò)與固態(tài)微納結(jié)構(gòu)耦合來(lái)實(shí)現(xiàn)自旋色心的熒光增強(qiáng)是一種常用的方法。人們已經(jīng)提出并實(shí)現(xiàn)了多種不同的方案，包括加工固體浸潤(rùn)透鏡、納米柱、牛眼環(huán)、光子晶體微腔和光纖腔等。然而，這一方向依然存在許多具有挑戰(zhàn)性的問題需要解決，例如色心自旋性質(zhì)容易受到復(fù)雜微納加工過(guò)程的影響，以及色心與微納結(jié)構(gòu)之間難以對(duì)準(zhǔn)等。 ;\
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李傳鋒、許金時(shí)研究組獨(dú)辟蹊徑，利用等離激元實(shí)現(xiàn)碳化硅中自旋色心的熒光增強(qiáng)。研究組通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光等工藝制備出厚度約10微米的碳化硅薄膜，并利用離子注入技術(shù)在薄膜中制備近表面（約15納米）的雙空位色心。隨后將薄膜翻轉(zhuǎn)，利用范德瓦爾斯力將其粘貼在鍍有共面金波導(dǎo)的硅片上，由此使得近表面色心與金波導(dǎo)的距離落在表面等離激元的作用范圍內(nèi)，進(jìn)而增強(qiáng)色心熒光。 ,yd MU\so(  
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研究組在之前的工作中首次發(fā)現(xiàn)碳化硅中單個(gè)雙空位PL6色心在室溫下具有與金剛石NV色心相媲美的發(fā)光亮度和自旋讀出對(duì)比度[Natl. Sci. Rev. 9, nwab122 (2022)]。在本項(xiàng)工作中，使用數(shù)值孔徑0.85的物鏡，利用表面等離激元的增強(qiáng)效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了單個(gè)PL6色心亮度7倍的增強(qiáng)；進(jìn)一步使用數(shù)值孔徑1.3的油鏡，色心熒光每秒可超過(guò)1百萬(wàn)個(gè)計(jì)數(shù)。研究組還利用反應(yīng)離子刻蝕工藝調(diào)控薄膜厚度，從而精確控制近表面色心與共面波導(dǎo)的距離，研究最佳作用范圍。除了產(chǎn)生表面等離激元，共面金波導(dǎo)還可用來(lái)高效輻射微波，從而大幅提高自旋操控效率。相比傳統(tǒng)微波輻射方式，共面波導(dǎo)使單個(gè)PL6色心的拉比頻率在相同微波功率下提升了14倍。實(shí)驗(yàn)裝置與結(jié)果如圖所示。 u` oq(?|  
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研究組還深入研究了熒光增強(qiáng)機(jī)制。通過(guò)使用三能級(jí)模型擬合自相關(guān)函數(shù)，以及測(cè)量非共振激發(fā)熒光壽命，研究組不僅驗(yàn)證了表面等離激元是通過(guò)提高色心能級(jí)的輻射躍遷速率來(lái)增強(qiáng)熒光亮度，而且發(fā)現(xiàn)在作用距離逐漸縮小的過(guò)程中，表面等離激元的淬滅效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致色心熒光亮度發(fā)生衰減。 "UEv&mQ  
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該工作首次實(shí)現(xiàn)了碳化硅薄膜中近表面自旋色心熒光的等離激元增強(qiáng)。共面金波導(dǎo)制備簡(jiǎn)單，無(wú)需復(fù)雜的增強(qiáng)結(jié)構(gòu)與對(duì)準(zhǔn)工藝，并且該方法也適用于碳化硅中其他自旋色心的熒光增強(qiáng)。這項(xiàng)技術(shù)將有力推動(dòng)碳化硅材料在量子領(lǐng)域的應(yīng)用。 #cj6{%c4  
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