為了構(gòu)建基于極化激元的光電集成回路，迫切需要研發(fā)可在片上集成的納米光源作為信息輸入端口。切倫科夫輻射是由當(dāng)帶電粒子高速掠過(guò)介質(zhì)表面激發(fā)的電磁輻射，是構(gòu)筑片上納米光源的重要路徑。反向切倫科夫輻射具有帶電粒子運(yùn)動(dòng)方向與產(chǎn)生電磁輻射相反的特點(diǎn)，可以有效屏蔽運(yùn)動(dòng)粒子對(duì)輻射電磁波的干擾，從而顯著提升納米光源的品質(zhì)。前期已有報(bào)道在超構(gòu)材料中獲得了微波頻段的反向切倫科夫輻射，但隨著頻率提升該結(jié)構(gòu)電磁損耗呈指數(shù)上升，如何獲得紅外頻段的反向切倫科夫輻射仍是挑戰(zhàn)。 q