麻省理工學(xué)院的研究人員開發(fā)了一種突破性的技術(shù)，可以在完全制造的硅芯片上直接生長(zhǎng)二維過(guò)渡金屬二氯化物（TMD）材料，從而實(shí)現(xiàn)更密集的集成。傳統(tǒng)的方法需要大約600℃的溫度，這可能會(huì)損壞硅晶體管和電路，因?yàn)樗鼈冊(cè)?00℃以上就會(huì)分解。 $:IEp