鈣鈦礦材料由于其優(yōu)異的半導體性質在光電器件應用領域得到了廣泛的關注。但原位生長的三維鈣鈦礦具有的低激子結合能，使得自由載流子容易被缺陷態(tài)捕獲，制約了其電致發(fā)光器件效率的提升。因此通過引入大的有機間隔陽離子就可以得到具有高激子結合能的準二維鈣鈦礦結構，極大地提升電致發(fā)光效率，但準二維鈣鈦礦中復雜的低維相分布問題是抑制其效率進一步提升的關鍵阻礙。 U/2]ACGCN^  
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