近年來，面對持續(xù)高漲的芯片需求，半導體行業(yè)生產(chǎn)迎來了高難度挑戰(zhàn)——對芯片工藝要求更精細，從5nm到3nm，甚至是2nm。“先進封裝”的提出，是對技術(shù)的新要求，也是對封裝工藝中材料和設(shè)備的全新考驗。 `UD
,ne  
+(U;+6
b  
芯片身上布控著幾千萬根晶體管，而晶體管越小，可放置的晶體管越多，性能也將越高。芯片的進化就是晶體管變小的過程。晶體管密度更大、占用空間更少、性能更高、功率更低，但挑戰(zhàn)也越來越難以克服。小尺寸下，芯片物理瓶頸越來越難以克服。尤其在近幾年，先進節(jié)點走向10nm、7nm、5nm......白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產(chǎn)線，致力于滿足時下半導體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導體行業(yè)發(fā)展。 BqtUL_jm  
>[0t@Tu,D  
W1白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為140*100mm，滿足晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高、彈坑等微納米級別精度的測量。 f2iA5 rCV]  
臺階高精確度：0.3% :*I='M9B  
臺階高重復性：0.08 % 1σ ~?JNI8  
縱向分辨率：0.1nm 1:;S6
{oQ  
RMS重復性：0.005nm z]/!4+  
橫向分辨率（0.5λ/NA）：0.5um~3.7um +mRc8