當(dāng)前MOSFET器件的持續(xù)微縮所帶來的功耗問題已經(jīng)成為制約集成電路發(fā)展的主要瓶頸。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團隊、美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院及美國喬治梅森大學(xué)，合作提出一種具有陡峭亞閾值擺幅的負量子電容晶體管器件。研究成果在第68屆國際電子器件大會上發(fā)表。 >&S}u\/  
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復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院消息顯示，該工作利用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負電子壓縮效應(yīng)，通過柵極電壓調(diào)控形成負量子電容。該工作中，通過對器件柵極疊層結(jié)構(gòu)以及制備工藝的優(yōu)化，實現(xiàn)最小31mV/dec的亞閾值擺幅和可忽略的滯回特性，及超過106的開關(guān)比，有效降低器件靜態(tài)與動態(tài)功耗。同時結(jié)合理論仿真揭示了器件陡峭亞閾值擺幅的形成機理，為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑。 [ fzYC'A=  
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該項研究工作得到國家自然科學(xué)基金等項目資助。