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Rh 在本
教程項(xiàng)目中,我們計(jì)算了帶有摻雜二氧化硅芯的圓柱形
光纖的基本傳播模式。
qRsPi0; N'Va&"&73> 磁芯具有相對介電常數(shù)
ϵcore=2.113和直徑
dcore=8.2μm。包層具有相對介電常數(shù)
ϵcladding=2.1025和直徑
dcladding=80μm。我們假定磁場的切向分量在外邊界上消失。我們想在1.5附近找到兩個(gè)本征模,這是我們對有效
折射率的最初猜測。基本示例propagation Mode中給出了輸入
文件所需
參數(shù)的詳細(xì)描述。
aAO[Y"-:,Y },0fPkVsU 下圖顯示了兩個(gè)計(jì)算本征模的電場的z分量(對數(shù)尺度下)。兩者都屬于相同的有效折射率,屬于雙重簡并。特征值存儲在文件eigenvalues.jcm中。
isHa4 D0 +xRja(d6 i\2MphS 之后彎曲單模光纖教程會說明如何計(jì)算彎曲單模光纖的基本傳播模式。