硅基晶體管的集成正在接近工藝物理的極限，而具有超高載流子遷移率的石墨烯有望成為下一代主流芯片材料。石墨烯納米帶中存在由量子效應(yīng)引入的帶隙，使之具有獨特的電學性能，可以克服石墨烯本身半金屬特質(zhì)帶來的不便，更適用于集成電路的制造。   i6