>Q?8tGfB 介紹 Z_ Y'#5o# ErQ6a%~, Gzg3{fXl 在高約束
芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
~-B+7 耦合器由高折射率比
材料組成，是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
*;~u 5y2b 錐形耦合器實(shí)際上是
光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2]
<^_crJONom 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過(guò)渡。
bX` Gv + 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái)，因?yàn)樗峁└哒凵渎时�，包括二氧化硅層作�?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=光學(xué)',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">光學(xué)緩沖器，并允許與集成
電子電路兼容。[2]
EbVva{;#$; 
vUOl@UQ5 D!.1R!(Z 9 %i\) =9,^Tu| x{tlC}t {IaDZ/XS6 g|7o1{ QG2 Zh9R X J)Y-7c 5,g +OY=\ PLMC<4$s 3D FDTD仿真 Zj'%c2U_ h:r?:C>n
/F(n%8)Yq 要模擬的關(guān)鍵部件是來(lái)自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過(guò)100 um長(zhǎng)度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便達(dá)到更快的模擬時(shí)間） w>=N~0@t □ 了精確模擬線性錐形硅波導(dǎo)，錐形的網(wǎng)格尺寸應(yīng)該要設(shè)置密度大一些，因此在這種情況下使用不均勻的網(wǎng)格。 +}a(jO □ 光源在時(shí)域中設(shè)置為CW（ λ= 1.55 um），在空間域上設(shè)置為高斯橫向分布，并且位于二氧化硅波導(dǎo)的硅紙尖端。 L/`1K_ \l 注意：模擬時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，以確保穩(wěn)態(tài)結(jié)果 y$SUYG'v 介紹 TjYHoL5 s. Ai _D
0<NS1y 在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] !4'F
