在今年8月召開的“全球IEEE（電氣和電子工程師協(xié)會）國際芯片導(dǎo)線技術(shù)會議”上，IMEC（歐洲微電子研究中心）提出了四種延續(xù)摩爾定律、打破2nm芯片物理極限的方法。這幾種方法無一不是建立在了使用“石墨烯材料”的基礎(chǔ)之上。經(jīng)過討論，專家組最終達(dá)成一致，將石墨烯定位下一代新型半導(dǎo)體材料，將碳基芯片定義為下一個芯片時代的主流。 "|6(.S+o  
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以石墨烯為代表的碳基二維材料自發(fā)現(xiàn)以來受到了廣泛關(guān)注。然而，石墨烯的零帶隙半導(dǎo)體性質(zhì)嚴(yán)重限制了其在微電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用。 #o&T$D5  
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針對該情況，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究人員等自2013年開展新型碳基二維半導(dǎo)體材料的制備研究，2014年1月成功制備了由碳和氮原子構(gòu)成的類石墨烯蜂窩狀無孔有序結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體C3N單層材料，并發(fā)現(xiàn)該材料在電子注入后產(chǎn)生的鐵磁長程序。 88u[s@  
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