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    [分享]OptiBPM：創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉（MMI）耦合器 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2021-05-08
    主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉耦合器，主要步驟如下： #K/95!)  
    • 定義MMI耦合器的材料； N7^sn!JB  
    • 定義布局設(shè)定； z]&?}o  
    • 創(chuàng)建一個(gè)MMI耦合器； p ^)3p5w  
    • 插入輸入面； x X.{(er  
    • 運(yùn)行模擬； X]=8Oa  
    • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 1=PTiDMJ<*  
    c/l^;6O/!\  
    1. 定義MMI耦合器的材料 ss`Sl$  
    為了定義MMI耦合器的材料，需要進(jìn)行如下操作： )kYDN_W  
    1) 通過(guò)File-New打開“初始性能對(duì)話框（Initial Properties）“ z00,Vr^m  
    =}Yz[-I  
    圖1.初始性能對(duì)話框
    q RRvZhf  
    2) 點(diǎn)擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設(shè)計(jì)窗口（Profile Designer）” :*YnH&  
    f*Os~@K  
    圖2.輪廓設(shè)計(jì)窗口
    P#[?Kfi  
    3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標(biāo)簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 bYr*rEcA  
     RSnBG"  
    vdot .  
    圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
    D[Q/:_2l  
    4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料： F(Je$c/J|~  
    − Name : Guide F!-%v5.y  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 Z,V<&9a;  
    − 點(diǎn)擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 d-z[=1m  
    N@^:IfJ+=  
    圖4.創(chuàng)建Guide材料
    KxWm63"  
    5) 重復(fù)步驟3）和4），創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料： 1Vs>G  
    − Name : Cladding v4XEp   
    − Refractive Index (Re) : 3.27 }hcY5E-n  
    − 點(diǎn)擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 oqzWL~  
    ,Kt51vG