PC基底硬化后進行冷鍍ITO和AR膜，905nm增透，后工序100℃烘烤2h后ITO和AR（SiO2和TiO2）膜均出現(xiàn)了開裂。 R]b! $6Lt  
請教下各位大佬，如何進行工藝改善？

路過的大佬請指導(dǎo)一下，謝謝

你設(shè)備有鹵素?zé)艏訜釂�？PC鍍膜最好用鹵素?zé)艏訜?

膜裂原因有很多。 $,`VUe{  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。 'jbMTI  
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PC上鍍膜最好鍍一個打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對膜裂會有很大的改善。 Rrz'(
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另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會對吸水造成的膜裂會有改善。 0}-#b7eR  
但是離子源會造成溫度升高，所以要注意條件。 Hs<n^fyf  
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實驗要多做，各種條件都做一下。 ]S]"`;Wh  
具體情況具體分析，有時候設(shè)備不好也會造成問題的。 {F)E\)$G  
并不是所有問題都可以用工藝解決的。

ouyuu:膜裂原因有很多。 dqL-'  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。
PC上鍍膜最好鍍一個打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對膜裂會有很大的改善。 Sn+FV+D  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會對吸水造成的膜裂會有改善。
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....... (2021-01-16 17:25)  IMw