摘要：極紫外光刻(EUVL)是半導體工業(yè)實現(xiàn)32～16nm技術(shù)節(jié)點的候選技術(shù)，而極紫外曝光光學系統(tǒng)是EUVL的核心部件，它主要由照明系統(tǒng)和微縮投影物鏡組成。本文介紹了國內(nèi)外現(xiàn)有的EUVL實驗樣機及其系統(tǒng)參數(shù)特性；總結(jié)了EUVL光學系統(tǒng)設計原則，分別綜述了EUVL投影光學系統(tǒng)和照明光學系統(tǒng)的設計要求；描述了EUVL投影曝光系統(tǒng)及照明系統(tǒng)的設計方法；重點討論了適用于22nm節(jié)點的EUVL非球面六鏡投影光學系統(tǒng)，指出了改善EUVL照明均勻性的方法。 M[5zn  
Rul