失效分析常用方法匯總 i|5.DhK}  
芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 )?es3Ehqq  
這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 xLID@9Hbu  
一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: ,+LX.f&/8!  
檢測(cè)內(nèi)容包含： N$cm;G=]  
1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 s.VtmAH  
2.內(nèi)部裂紋 M.b1=Y  
3.分層缺陷 ;h|zNx0  
4.空洞、氣泡、空隙等。 v[-.]b*5A$  
二、 X－Ray（X光檢測(cè)），屬于無損檢查: t}$WP&XRG<  
X-Ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動(dòng)能會(huì)以X-Ray形式放出。而對(duì)于樣品無法以外觀方式觀測(cè)的位置，利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強(qiáng)度的變化，產(chǎn)生的對(duì)比效果可形成影像，即可顯示出待測(cè)物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可在不破壞待測(cè)物的情況下觀察待測(cè)物內(nèi)部有問題的區(qū)域。 @D$^- S6  

圖片:北軟檢測(cè)芯片失效分析x-ray (4).png

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檢測(cè)內(nèi)容包含： ."HDUo2D7  
1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 "gau
rr3  
2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 e+`LtEve0  
3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 w +pK=R  
三、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測(cè)量元器件尺寸）, "}"hQ.kAz  
SEM/EDX（形貌觀測(cè)、成分分析）掃描電鏡（SEM）可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長(zhǎng)和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)不同元素特征X射線波長(zhǎng)的不同來測(cè)定試樣所含的元素。通過對(duì)比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測(cè)定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡（SEM）使用，可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 ^r4@C2#vzJ  
檢測(cè)內(nèi)容包含： H]i.\2z  

圖片:rie北軟檢測(cè)芯片失效分析.jpg

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1.材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察   "$@>n(w  
2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 e u{  
3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 V]4g- CS[  
4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示 {0~ Sj%Ze  
5.微區(qū)成分定性及定量分析 j.}@