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失效分析測(cè)試準(zhǔn)備 失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié)，無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)外開放的資源，來(lái)完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢？下面為大家整理一下： 一、decap：寫清樣品尺寸，數(shù)量，封裝形式，材質(zhì)，開封要求（若在pcb板上，最好提前拆下，pcb板子面較大有突起，會(huì)影響對(duì)芯片的保護(hù)）后續(xù)試驗(yàn)。 1.IC開封（正面/背面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等 2.樣品減�。ㄌ沾�，金屬除外） 3.激光打標(biāo) 4.芯片開封（正面/背面） 5.IC蝕刻，塑封體去除 二、X-RAY：寫清樣品尺寸，數(shù)量，材質(zhì)（密度大的可以看到，密度小的直接穿透），重點(diǎn)觀察區(qū)域，精度。 1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 三、IV：寫清管腳數(shù)量，封裝形式，加電方式，電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境，若樣品不適合就不用白跑一趟了。 1.Open/Short Test 2.I/V Curve Analysis 3.Idd Measuring 4.Powered Leakage（漏電）Test 四、EMMI：寫清樣品加電方式，電壓電流，是否是裸die，是否已經(jīng)開封，特殊要求等，EMMI是加電測(cè)試，可以連接各種源表，確認(rèn)加電要求，若實(shí)驗(yàn)室沒(méi)有適合的源表，可以自帶，避免做無(wú)用功。 1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 Hot Carriers Effect、ESD等問(wèn)題 五、FIB：寫清樣品尺寸，材質(zhì)，導(dǎo)電性是否良好，若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右，太大的樣品放不進(jìn)去，也影像定位，導(dǎo)電性好的樣品分析較快，導(dǎo)電性不好的，需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的，標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案，發(fā)定位文件。 1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 2.Cross-Section截面分析 3.Probing Pad 4.定點(diǎn)切割 六、SEM：寫清樣品尺寸，材質(zhì)，導(dǎo)電性是否良好，若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右，太大的樣品放不進(jìn)去，也影像定位，導(dǎo)電性好的樣品分析較快，導(dǎo)電性不好的，需要輔助措施才能較好的分析。 1.材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察 2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示 七、EDX：寫清樣品尺寸，材質(zhì)，EDX是定性分析，能看到樣品的材質(zhì)和大概比例，適合金屬元素分析。 1.微區(qū)成分定性分析 八、Probe：寫清樣品測(cè)試環(huán)境要求，需要搭配什么源表，使用什么探針，一般有硬針和軟針，軟針較細(xì)，不易對(duì)樣品造成二次損傷。 1.微小連接點(diǎn)信號(hào)引出 2.失效分析失效確認(rèn) 3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn) 4.晶圓可靠性驗(yàn)證 |
